以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta），32A（Tc） 95W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD3682
  仓库库存编号：FDD3682CT-ND
  别名：FDD3682CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN034-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7211-1-ND
  别名：1727-7211-1
  568-9702-1
  568-9702-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDM3622
  仓库库存编号：FDM3622CT-ND
  别名：FDM3622CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），36A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD86102
  仓库库存编号：FDD86102CT-ND
  别名：FDD86102CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N10LTU
  仓库库存编号：FQU13N10LTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N10S4L22AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND
  别名：IPG20N10S4L22AATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 29.5A 68W Surface Mount LFPAK56D
  
  型号：BUK7K29-100EX
  仓库库存编号：1727-2463-1-ND
  别名：1727-2463-1
  568-12848-1
  568-12848-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 14A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta），14A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4286
  仓库库存编号：785-1647-5-ND
  别名：785-1647-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC070N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC070N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC070N10NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.5A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS89141
  仓库库存编号：FDS89141CT-ND
  别名：FDS89141CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC070N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC070N10NS3 GCT
  BSC070N10NS3 GCT-ND
  BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 140mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP3310A
  仓库库存编号：ZVP3310A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN2110A
  仓库库存编号：ZVN2110A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4510TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4510TRPBFCT-ND
  别名：IRFR4510TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.67A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4310GTA
  仓库库存编号：ZVN4310GCT-ND
  别名：ZVN4310G
  ZVN4310GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFR3710ZTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD26NF10
  仓库库存编号：497-7963-1-ND
  别名：497-7963-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3110ZTRPBF
  仓库库存编号：IRLR3110ZTRPBFCT-ND
  别名：IRLR3110ZTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC123N10LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC123N10LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC123N10LS GCT
  BSC123N10LS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86102
  仓库库存编号：FDMC86102CT-ND
  别名：FDMC86102CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD110PBF
  仓库库存编号：IRFD110PBF-ND
  别名：*IRFD110PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3310A
  仓库库存编号：ZVN3310A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVNL110A
  仓库库存编号：ZVNL110A-ND
  别名：TN0110N3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27.5A（Tc） 5W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456CDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7456CDP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86102LZ
  仓库库存编号：FDMS86102LZCT-ND
  别名：FDMS86102LZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索