产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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分立半导体产品
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807TR
仓库库存编号:
IRF7807TR-ND
别名:SP001556108
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.6A(Ta) 3.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809
仓库库存编号:
IRF7809-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809A
仓库库存编号:
IRF7809A-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410
仓库库存编号:
IRF9410-ND
别名:*IRF9410
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9952
仓库库存编号:
IRF9952-ND
别名:*IRF9952
SP001563782
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9953
仓库库存编号:
IRF9953-ND
别名:*IRF9953
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9956
仓库库存编号:
IRF9956-ND
别名:*IRF9956
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
94-4737
仓库库存编号:
94-4737-ND
别名:*IRFR3303
IRFR3303
IRFR3303-ND
SP001517800
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TR
仓库库存编号:
IRFR3303TR-ND
别名:SP001572808
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3303
仓库库存编号:
IRFU3303-ND
别名:*IRFU3303
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) D2PAK
型号:
94-2113
仓库库存编号:
94-2113-ND
别名:*IRL2203NS
IRL2203NS
IRL2203NS-ND
SP001517146
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) TO-262
型号:
IRL3103L
仓库库存编号:
IRL3103L-ND
别名:*IRL3103L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRL
仓库库存编号:
IRL3103STRL-ND
别名:SP001573698
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803STRL
仓库库存编号:
IRL3803STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TR
仓库库存编号:
IRLR3103TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TR
仓库库存编号:
IRLR3303TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2703
仓库库存编号:
IRLU2703-ND
别名:*IRLU2703
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3303
仓库库存编号:
IRLU3303-ND
别名:*IRLU3303
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DY
仓库库存编号:
SI4410DY-ND
别名:*SI4410DY
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DYTR
仓库库存编号:
SI4435DYTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DY
仓库库存编号:
SI4435DY-ND
别名:*SI4435DY
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7503TR
仓库库存编号:
IRF7503CT-ND
别名:*IRF7503TR
IRF7503
IRF7503CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7506TR
仓库库存编号:
IRF7506CT-ND
别名:*IRF7506TR
IRF7506
IRF7506CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7509TR
仓库库存编号:
IRF7509CT-ND
别名:*IRF7509TR
IRF7509
IRF7509CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TR
仓库库存编号:
IRF7603CT-ND
别名:*IRF7603TR
IRF7603
IRF7603CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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