产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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分立半导体产品
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803TR
仓库库存编号:
IRLML2803CT-ND
别名:*IRLML2803TR
IRLML2803
IRLML2803-ND
IRLML2803CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 760mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5103TR
仓库库存编号:
IRLML5103CT-ND
别名:*IRLML5103TR
IRLML5103
IRLML5103-ND
IRLML5103CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1503TR
仓库库存编号:
IRLMS1503CT-ND
别名:*IRLMS1503TR
IRLMS1503
IRLMS1503CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707S
仓库库存编号:
IRF3707S-ND
别名:*IRF3707S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2703S
仓库库存编号:
IRL2703S-ND
别名:*IRL2703S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503
仓库库存编号:
IRLR8503-ND
别名:*IRLR8503
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7523D1
仓库库存编号:
IRF7523D1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413A
仓库库存编号:
IRF7413A-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7466
仓库库存编号:
IRF7466-ND
别名:*IRF7466
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7467
仓库库存编号:
IRF7467-ND
别名:*IRF7467
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DY
仓库库存编号:
SI4420DY-ND
别名:*SI4420DY
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703
仓库库存编号:
IRLL2703-ND
别名:*IRLL2703
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 179A(Tc) 270W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRLBA3803P
仓库库存编号:
IRLBA3803P-ND
别名:*IRLBA3803P
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 260A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) SUPER D2-PAK
型号:
IRFBL3703
仓库库存编号:
IRFBL3703-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3707L
仓库库存编号:
IRF3707L-ND
别名:*IRF3707L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) TO-262
型号:
IRL2203NL
仓库库存编号:
IRL2203NL-ND
别名:*IRL2203NL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRL3303L
仓库库存编号:
IRL3303L-ND
别名:*IRL3303L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
94-4764
仓库库存编号:
94-4764-ND
别名:*IRL3803L
IRL3803L
IRL3803L-ND
SP001519020
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5203
仓库库存编号:
IRLML5203-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7526D1
仓库库存编号:
IRF7526D1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3707
仓库库存编号:
IRF3707-ND
别名:*IRF3707
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRL
仓库库存编号:
IRF3707STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRR
仓库库存编号:
IRF3707STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3708
仓库库存编号:
IRF3708-ND
别名:*IRF3708
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708S
仓库库存编号:
IRF3708S-ND
别名:*IRF3708S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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