产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9362TRPBF
仓库库存编号:
IRF9362TRPBFCT-ND
别名:IRF9362TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NSI
仓库库存编号:
BSC0902NSICT-ND
别名:BSC0902NSICT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC025N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC025N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC025N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03LSGINCT
BSC025N03LSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8
型号:
BSC072N03LD G
仓库库存编号:
BSC072N03LD GCT-ND
别名:BSC072N03LD GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LS
仓库库存编号:
BSC011N03LSCT-ND
别名:BSC011N03LSCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta),22.5A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC130P03LS G
仓库库存编号:
BSC130P03LS GINCT-ND
别名:BSC130P03LS GINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 21A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH9310TRPBF
仓库库存编号:
IRFH9310TRPBFCT-ND
别名:IRFH9310TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC016N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC016N03MSGINCT
BSC016N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 137W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90P03P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P03P4L04ATMA1CT-ND
别名:IPD90P03P4L-04INCT
IPD90P03P4L-04INCT-ND
IPD90P03P4L04ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 12.6A(Ta) 1.79W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO301SP H
仓库库存编号:
BSO301SP HCT-ND
别名:BSO301SP HCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-5
型号:
SPD50P03L G
仓库库存编号:
SPD50P03LGINCT-ND
别名:SPD50P03LGINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 65W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB8721PBF
仓库库存编号:
IRLB8721PBF-ND
别名:SP001558140
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 78A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB8743PBF
仓库库存编号:
IRLB8743PBF-ND
别名:SP001572884
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),192A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF8301MTRPBF
仓库库存编号:
IRF8301MTRPBFCT-ND
别名:IRF8301MTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB009N03L G
仓库库存编号:
IPB009N03L GCT-ND
别名:IPB009N03L GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 260A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3713STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3713STRLPBFCT-ND
别名:IRL3713STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS316NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS316NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS316N H6327CT
BSS316N H6327CT-ND
BSS316NH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS314PEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS314PEH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS314PE H6327CT
BSS314PE H6327CT-ND
BSS314PEH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS315PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS315PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS315P H6327CT
BSS315P H6327CT-ND
BSS315PH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML9303TRPBF
仓库库存编号:
IRLML9303TRPBFCT-ND
别名:IRLML9303TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML0030TRPBF
仓库库存编号:
IRLML0030TRPBFCT-ND
别名:IRLML0030TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML9301TRPBF
仓库库存编号:
IRLML9301TRPBFCT-ND
别名:IRLML9301TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML2803GTRPBFCT-ND
别名:IRLML2803GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5203GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML5203GTRPBFCT-ND
别名:IRLML5203GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS5703TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS5703PBFCT-ND
别名:*IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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