产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRL
仓库库存编号:
IRF3709STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRR
仓库库存编号:
IRF3709STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5800TR
仓库库存编号:
IRF5800TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.8A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5805TR
仓库库存编号:
IRF5805TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7328TR
仓库库存编号:
IRF7328TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
型号:
IRF7423TR
仓库库存编号:
IRF7423TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7424TR
仓库库存编号:
IRF7424TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7477TR
仓库库存编号:
IRF7477TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 1.5W(Tc) 8-TSSOP
型号:
IRF7705TR
仓库库存编号:
IRF7705TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.51W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7706TR
仓库库存编号:
IRF7706TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7751TR
仓库库存编号:
IRF7751TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7752TR
仓库库存编号:
IRF7752TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805ATR
仓库库存编号:
IRF7805ATR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ATR
仓库库存编号:
IRF7807ATR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1
仓库库存编号:
IRF7807VD1-ND
别名:*IRF7807VD1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1TR
仓库库存编号:
IRF7807VD1TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2TR
仓库库存编号:
IRF7807VD2TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTR
仓库库存编号:
IRF7807VTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811AVTR
仓库库存编号:
IRF7811AVTR-ND
别名:SP001560030
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811WTR
仓库库存编号:
IRF7811WTR-ND
别名:SP001572286
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707TR
仓库库存编号:
IRFR3707TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707TRL
仓库库存编号:
IRFR3707TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707TRR
仓库库存编号:
IRFR3707TRR-ND
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MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TR
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IRFR3708TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRL
仓库库存编号:
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