产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRR
仓库库存编号:
IRFR3708TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRL
仓库库存编号:
IRLR8103VTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRR
仓库库存编号:
IRLR8103VTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7833
仓库库存编号:
IRLU7833-ND
别名:*IRLU7833
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),92A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6603
仓库库存编号:
IRF6603CT-ND
别名:*IRF6603
IRF6603CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),49A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MQ
型号:
94-3250
仓库库存编号:
94-3250CT-ND
别名:*IRF6604
IRF6604CT
IRF6604CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),94A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6607
仓库库存编号:
IRF6607CT-ND
别名:*IRF6607
IRF6607CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 65A(Tc) 75W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7821
仓库库存编号:
IRLU7821-ND
别名:*IRLU7821
Q1500049
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7821TR
仓库库存编号:
IRF7821TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 56A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707Z
仓库库存编号:
IRFR3707Z-ND
别名:*IRFR3707Z
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TR
仓库库存编号:
IRLR7833TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TRL
仓库库存编号:
IRLR7833TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TRR
仓库库存编号:
IRLR7833TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113
仓库库存编号:
IRLR8113-ND
别名:*IRLR8113
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113TR
仓库库存编号:
IRLR8113TR-ND
别名:SP001558970
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI100N03S2L-03-ND
别名:Q1620887
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPP42N03S2L-13IN-ND
别名:SPP42N03S2L-13IN
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP73N03S2L08XK
仓库库存编号:
SPP73N03S2L08XK-ND
别名:SP000013465
SPP73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08IN
SPP73N03S2L-08IN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 82W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPU30N03S2L-10IN-ND
别名:SP000013467
SPU30N03S2L-10IN
SPU30N03S2L-10XTIN
SPU30N03S2L-10XTIN-ND
SPU30N03S2L10X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L-06
仓库库存编号:
SPP80N03S2L-06IN-ND
别名:SP000014061
SPP80N03S2L-06IN
SPP80N03S2L-06XTIN
SPP80N03S2L-06XTIN-ND
SPP80N03S2L06X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2L-03IN-ND
别名:SPP100N03S2L-03IN
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2-03IN-ND
别名:SPP100N03S2-03IN
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL307SP
仓库库存编号:
BSL307SPINTR-ND
别名:BSL307SPINTR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12.6A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO301SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO301SPNTMA1CT-ND
别名:BSO301SPINCT
BSO301SPINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.9A(Ta) 2.35W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO303SPINCT-ND
别名:BSO303SPINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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