产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4410
仓库库存编号:
BSO4410INCT-ND
别名:BSO4410INCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4420
仓库库存编号:
BSO4420INCT-ND
别名:BSO4420INCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
BSO4804
仓库库存编号:
BSO4804INCT-ND
别名:BSO4804INCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4822
仓库库存编号:
BSO4822INCT-ND
别名:BSO4822INCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03
仓库库存编号:
SPB100N03S203INTR-ND
别名:SPB100N03S203INTR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名:SPB100N03S2L-INTR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB73N03S2L-08
仓库库存编号:
SPB73N03S2L08INTR-ND
别名:SPB73N03S2L08INTR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N03S2L05INTR-ND
别名:SPB80N03S2L05INTR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-06
仓库库存编号:
SPB80N03S2L06INCT-ND
别名:SPB80N03S2L06INCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-5
型号:
SPD100N03S2L-04
仓库库存编号:
SPD100N03S2L-INTR-ND
别名:SPD100N03S2L-INTR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-07
仓库库存编号:
SPD30N03S2L07INCT-ND
别名:SPD30N03S2L07
SPD30N03S2L07INCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10INCT-ND
别名:SPD30N03S2L10
SPD30N03S2L10INCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-20
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20INTR-ND
别名:SP000013488
SPD30N03S2L20INTR
SPD30N03S2L20XT
SPD30N03S2L20XT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L-06
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06INCT-ND
别名:SPD50N03S2L06
SPD50N03S2L06INCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6618
仓库库存编号:
IRF6618CT-ND
别名:*IRF6618
IRF6618CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6608
仓库库存编号:
IRF6608CT-ND
别名:*IRF6608
IRF6608CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413ZTR
仓库库存编号:
IRF7413ZTR-ND
别名:SP001551338
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ZTR
仓库库存编号:
IRF7807ZTR-ND
别名:SP001572296
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707ZCS
仓库库存编号:
IRF3707ZCS-ND
别名:*IRF3707ZCS
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707ZS
仓库库存编号:
IRF3707ZS-ND
别名:*IRF3707ZS
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413Z
仓库库存编号:
IRF7413Z-ND
别名:*IRF7413Z
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807Z
仓库库存编号:
IRF7807Z-ND
别名:*IRF7807Z
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113TR
仓库库存编号:
IRF8113TR-ND
别名:SP001577648
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 161A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7843TR
仓库库存编号:
IRLR7843TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7831TR
仓库库存编号:
IRF7831TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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