产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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分立半导体产品
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZTR
仓库库存编号:
IRLR7807ZTR-ND
别名:SP001558476
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 86A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3709Z
仓库库存编号:
IRFR3709Z-ND
别名:*IRFR3709Z
SP001555082
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 150A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL7833S
仓库库存编号:
IRL7833S-ND
别名:*IRL7833S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113
仓库库存编号:
IRF8113-ND
别名:*IRF8113
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZCS
仓库库存编号:
IRF3709ZCS-ND
别名:*IRF3709ZCS
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta),136A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6612TR1
仓库库存编号:
IRF6612TR1CT-ND
别名:*IRF6612
IRF6612CT
IRF6612CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
64-9144
仓库库存编号:
64-9144CT-ND
别名:*IRF6617
IRF6617CT
IRF6617CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZSTRL
仓库库存编号:
IRF3709ZSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZSTRR
仓库库存编号:
IRF3709ZSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL8113STRL
仓库库存编号:
IRL8113STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL8113STRR
仓库库存编号:
IRL8113STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) TO-262
型号:
IRF3707ZCL
仓库库存编号:
IRF3707ZCL-ND
别名:*IRF3707ZCL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3707Z
仓库库存编号:
IRF3707Z-ND
别名:*IRF3707Z
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) TO-262
型号:
IRF3707ZL
仓库库存编号:
IRF3707ZL-ND
别名:*IRF3707ZL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709ZCL
仓库库存编号:
IRF3709ZCL-ND
别名:*IRF3709ZCL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709ZL
仓库库存编号:
IRF3709ZL-ND
别名:*IRF3709ZL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZS
仓库库存编号:
IRF3709ZS-ND
别名:*IRF3709ZS
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL8113
仓库库存编号:
IRL8113-ND
别名:*IRL8113
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) TO-262
型号:
IRL8113L
仓库库存编号:
IRL8113L-ND
别名:*IRL8113L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL8113S
仓库库存编号:
IRL8113S-ND
别名:*IRL8113S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7834
仓库库存编号:
IRF7834-ND
别名:*IRF7834
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7834TR
仓库库存编号:
IRF7834TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832TR
仓库库存编号:
IRF7832CT-ND
别名:*IRF7832TR
IRF7832CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707ZCSTRR
仓库库存编号:
IRF3707ZCSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707ZSTRL
仓库库存编号:
IRF3707ZSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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