产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),72A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6626TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6626TR1PBFCT-ND
别名:IRF6626TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),57A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6631TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6631TR1PBFCT-ND
别名:IRF6631TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6635TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6635TR1PBFCT-ND
别名:IRF6635TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),59A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MP
型号:
IRF6637TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6637TR1PBFCT-ND
别名:IRF6637TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),140A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6638TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6638TR1PBFCT-ND
别名:IRF6638TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6678TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6678TR1PBFCT-ND
别名:IRF6678TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC022N03S
仓库库存编号:
BSC022N03S-ND
别名:BSC022N03ST
SP000014713
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N03S G
仓库库存编号:
BSC027N03S G-ND
别名:BSC027N03SGXT
SP000095462
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N03S
仓库库存编号:
BSC032N03S-ND
别名:BSC032N03ST
SP000014714
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),80A(Tc) 2.8W(Ta),54W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03S G
仓库库存编号:
BSC052N03S G-ND
别名:BSC052N03SGXT
SP000056192
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.6A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC094N03S G
仓库库存编号:
BSC094N03S G-ND
别名:BSC094N03SGXT
SP000016415
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO064N03S
仓库库存编号:
BSO064N03S-ND
别名:BSO064N03SXT
SP000077646
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO094N03S
仓库库存编号:
BSO094N03S-ND
别名:BSO094N03SNT
BSO094N03SXT
SP000077648
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Tc) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO104N03S
仓库库存编号:
BSO104N03S-ND
别名:BSO104N03SNT
BSO104N03SXT
SP000077649
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.2A(Ta) 1.56W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO130P03SNTMA1
仓库库存编号:
BSO130P03SNTMA1TR-ND
别名:BSO130P03S
BSO130P03S-ND
BSO130P03SNT
BSO130P03ST
SP000014729
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.4A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO200P03SNTMA1
仓库库存编号:
BSO200P03SNTMA1TR-ND
别名:BSO200P03S
BSO200P03S-ND
BSO200P03SNT
BSO200P03ST
SP000014959
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8.2A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO303PNTMA1
仓库库存编号:
BSO303PNTMA1TR-ND
别名:BSO303P
BSO303P-ND
BSO303PNT
BSO303PT
SP000012622
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB03N03LB
仓库库存编号:
IPB03N03LB-ND
别名:IPB03N03LBT
SP000074722
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB
仓库库存编号:
IPB04N03LB-ND
别名:IPB04N03LBT
SP000064219
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB G
仓库库存编号:
IPB04N03LB G-ND
别名:IPB04N03LBGXT
SP000103301
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LB
仓库库存编号:
IPB05N03LB-ND
别名:IPB05N03LBT
SP000065206
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB06N03LB
仓库库存编号:
IPB06N03LB-ND
别名:IPB06N03LBT
SP000065274
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB06N03LB G
仓库库存编号:
IPB06N03LB G-ND
别名:IPB06N03LBGXT
SP000103304
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB10N03LB
仓库库存编号:
IPB10N03LB-ND
别名:IPB10N03LBT
SP000064220
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB10N03LB G
仓库库存编号:
IPB10N03LB G-ND
别名:IPB10N03LBGXT
SP000103305
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