产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB13N03LB
仓库库存编号:
IPB13N03LB-ND
别名:IPB13N03LBT
SP000064218
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LB G
仓库库存编号:
IPD05N03LB G-ND
别名:IPD05N03LBGXT
SP000016410
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD09N03LB G
仓库库存编号:
IPD09N03LB G-ND
别名:IPD09N03LBGXT
SP000016412
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L
仓库库存编号:
IPD20N03L-ND
别名:IPD20N03LT
SP000016259
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L G
仓库库存编号:
IPD20N03L G-ND
别名:IPD20N03LGXT
SP000017603
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP03N03LB G
仓库库存编号:
IPP03N03LBGIN-ND
别名:IPP03N03LB G-ND
IPP03N03LBGIN
IPP03N03LBGX
IPP03N03LBGXK
SP000074721
SP000680786
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP04N03LB G
仓库库存编号:
IPP04N03LB G-ND
别名:IPP04N03LBGX
SP000064223
SP000680800
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP05N03LB G
仓库库存编号:
IPP05N03LBGIN-ND
别名:IPP05N03LB G-ND
IPP05N03LBGIN
IPP05N03LBGX
IPP05N03LBGXK
SP000065247
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP07N03LB G
仓库库存编号:
IPP07N03LB G-ND
别名:IPP07N03LBGX
SP000065252
SP000680834
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP10N03LB G
仓库库存编号:
IPP10N03LBGIN-ND
别名:IPP10N03LB G-ND
IPP10N03LBGIN
IPP10N03LBGX
IPP10N03LBGXK
SP000064222
SP000680860
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP13N03LB G
仓库库存编号:
IPP13N03LB G-ND
别名:IPP13N03LBGX
SP000064224
SP000680872
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS03N03LB G
仓库库存编号:
IPS03N03LB G-ND
别名:IPS03N03LBGX
SP000220141
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS04N03LB G
仓库库存编号:
IPS04N03LB G-ND
别名:IPS04N03LBGX
SP000219859
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS05N03LB G
仓库库存编号:
IPS05N03LB G-ND
别名:IPS05N03LBGX
SP000220140
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS09N03LB G
仓库库存编号:
IPS09N03LB G-ND
别名:IPS09N03LBGX
IPS09N03LBGXK
SP000220142
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Ta) PG-TO251-3
型号:
IPS20N03L G
仓库库存编号:
IPS20N03L G-ND
别名:IPS20N03LGX
IPS20N03LGXK
SP000064380
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH6N03LB G
仓库库存编号:
IPSH6N03LB G-ND
别名:IPSH6N03LBGX
SP000220143
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 115W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU04N03LB G
仓库库存编号:
IPU04N03LB G-ND
别名:IPU04N03LBGX
SP000220463
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU06N03LB G
仓库库存编号:
IPU06N03LB G-ND
别名:IPU06N03LBGX
SP000209113
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU09N03LB G
仓库库存编号:
IPU09N03LB G-ND
别名:IPU09N03LBGX
SP000209115
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU20N03L G
仓库库存编号:
IPU20N03L G-ND
别名:IPU20N03LGX
IPU20N03LGXK
SP000018246
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPUH6N03LB G
仓库库存编号:
IPUH6N03LB G-ND
别名:IPUH6N03LBGX
SP000209114
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2-03 G-ND
别名:SP000200140
SPB100N03S203GXT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13 G
仓库库存编号:
SPB42N03S2L-13 G-ND
别名:SP000200137
SPB42N03S2L13GXT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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