产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB73N03S2L-08 G
仓库库存编号:
SPB73N03S2L-08 G-ND
别名:SP000200138
SPB73N03S2L08GXT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2-03-ND
别名:SP000016251
SPB80N03S203T
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S203GATMA1
仓库库存编号:
SPB80N03S203GATMA1TR-ND
别名:SP000200139
SPB80N03S2-03 G
SPB80N03S2-03 G-ND
SPB80N03S203GXT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03-ND
别名:SP000016252
SPB80N03S2L03T
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200142
SPB80N03S2L03GXT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-04
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-04-ND
别名:SP000013901
SPB80N03S2L04T
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-04 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-04 G-ND
别名:SP000200143
SPB80N03S2L04GXT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-05 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-05 G-ND
别名:SP000200144
SPB80N03S2L05GXT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-06 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-06 G-ND
别名:SP000200145
SPB80N03S2L06GXT
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2-07
仓库库存编号:
SPD50N03S2-07-ND
别名:SP000016253
SP000077579
SPD50N03S207XT
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2-03
仓库库存编号:
SPI100N03S2-03-ND
别名:SP000013492
SPI100N03S203X
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPI42N03S2L-13-ND
别名:SP000013897
SPI42N03S2L13X
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI73N03S2L-08
仓库库存编号:
SPI73N03S2L-08-ND
别名:SP000016263
SPI73N03S2L08X
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2-03
仓库库存编号:
SPI80N03S2-03-ND
别名:SP000016262
SPI80N03S203X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-03-ND
别名:SP000016261
SPI80N03S2L03X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-04
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-04-ND
别名:SP000013903
SPI80N03S2L04X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-05
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-05-ND
别名:SP000016266
SPI80N03S2L05X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-06
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-06-ND
别名:SP000016265
SPI80N03S2L06X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2-03
仓库库存编号:
SPP80N03S2-03-ND
别名:SP000012468
SPP80N03S203X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPP80N03S2L-03-ND
别名:SP000012469
SPP80N03S2L03X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L04AKSA1
仓库库存编号:
SPP80N03S2L04AKSA1-ND
别名:SPP80N03S2L-04
SPP80N03S2L-04-ND
SPP80N03S2L04X
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 125W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2-08
仓库库存编号:
SPU30N03S2-08-ND
别名:SP000014129
SPU30N03S208X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.5A(Ta),73A(Tc) 17.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC059N03S G
仓库库存编号:
BSC059N03SGINCT-ND
别名:BSC059N03SG
BSC059N03SGINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.9A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC119N03S G
仓库库存编号:
BSC119N03SGINCT-ND
别名:BSC119N03SG
BSC119N03SGINCT
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL307SPL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL307SPL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL307SPL6327INCT
BSL307SPL6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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