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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
  
  型号：DMG6602SVTQ-7
  仓库库存编号：DMG6602SVTQ-7DICT-ND
  别名：DMG6602SVTQ-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMP3030SN-7
  仓库库存编号：DMP3030SNDICT-ND
  别名：DMP3030SNDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2304BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2304BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2304BDS-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 480mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR4171PT1G
  仓库库存编号：NTR4171PT1GOSCT-ND
  别名：NTR4171PT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 510mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV37EN2R
  仓库库存编号：1727-2306-1-ND
  别名：1727-2306-1
  568-12592-1
  568-12592-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5203TRPBF
  仓库库存编号：IRLML5203TRPBFCT-ND
  别名：IRLML5203TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 510mW（Ta）, 6.94W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV20XNER
  仓库库存编号：1727-2302-1-ND
  别名：1727-2302-1
  568-12588-1
  568-12588-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5103TRPBF
  仓库库存编号：IRLML5103PBFCT-ND
  别名：*IRLML5103TRPBF
  IRLML5103PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6344TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6344TRPBFCT-ND
  别名：IRLML6344TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6405
  仓库库存编号：785-1072-1-ND
  别名：785-1072-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta） 1.12W（Ta） SOT-26
  
  型号：DMG6402LDM-7
  仓库库存编号：DMG6402LDM-7DICT-ND
  别名：DMG6402LDM-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMG7430LFG-7
  仓库库存编号：DMG7430LFG-7DICT-ND
  别名：DMG7430LFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 510mW（Ta）, 6.94W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV20ENR
  仓库库存编号：1727-2301-1-ND
  别名：1727-2301-1
  568-12587-1
  568-12587-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMN3018SSS-13
  仓库库存编号：DMN3018SSS-13DICT-ND
  别名：DMN3018SSS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
  详细描述：JFET N-Channel 25mA @ 15V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：MMBF4392LT1G
  仓库库存编号：MMBF4392LT1GOSCT-ND
  别名：MMBF4392LT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 540mA（Ta） 460mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMP31D0UFB4-7B
  仓库库存编号：DMP31D0UFB4-7BDICT-ND
  别名：DMP31D0UFB4-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
  详细描述：JFET N-Channel 50mA @ 15V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：MMBF4391LT1G
  仓库库存编号：MMBF4391LT1GOSCT-ND
  别名：MMBF4391LT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2303CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2303CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2303CDS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3456DDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3456DDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3456DDV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMN3016LFDE-7
  仓库库存编号：DMN3016LFDE-7DICT-ND
  别名：DMN3016LFDE-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 870mA（Tc） 560mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：PMF370XN,115
  仓库库存编号：1727-5422-1-ND
  别名：1727-5422-1
  568-6871-1
  568-6871-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17483F4T
  仓库库存编号：296-37781-1-ND
  别名：296-37781-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.42W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMG4466SSS-13
  仓库库存编号：DMG4466SSS-13DICT-ND
  别名：DMG4466SSS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7400A
  仓库库存编号：785-1301-1-ND
  别名：785-1301-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMN3051L-7
  仓库库存编号：DMN3051LDICT-ND
  别名：DMN3051LDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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