产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7192DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7192DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7192DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 75A(Tc) 3.75W(Ta),187W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP75P03-07-E3
仓库库存编号:
SUP75P03-07-E3-ND
别名:SUP75P0307E3
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R1-30PL,127
仓库库存编号:
1727-5291-ND
别名:1727-5291
568-6719
568-6719-5
568-6719-5-ND
568-6719-ND
934065166127
PSMN1R130PL127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J15FV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J15FVL3FCT-ND
别名:SSM3J15FVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 260mW(Ta),1.1W(Tc) SOT-323-3
型号:
NX3020NAKW,115
仓库库存编号:
1727-1288-1-ND
别名:1727-1288-1
568-10508-1
568-10508-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K15AFU,LF
仓库库存编号:
SSM3K15AFULFCT-ND
别名:SSM3K15AFULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN63D8L-7
仓库库存编号:
DMN63D8L-7DICT-ND
别名:DMN63D8L-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K15AMFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K15AMFVL3FCT-ND
别名:SSM3K15AMFVL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 0.25A SST3
详细描述:表面贴装 P 沟道 250mA(Ta) 200mW(Ta) SST3
型号:
RSC002P03T316
仓库库存编号:
RSC002P03T316CT-ND
别名:RSC002P03T316CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) SSM
型号:
SSM3K15AFS,LF
仓库库存编号:
SSM3K15AFSLFCT-ND
别名:SSM3K15AFSLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 690mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR4003NT1G
仓库库存编号:
NTR4003NT1GOSCT-ND
别名:NTR4003NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) SSSMini3-F2-B
型号:
FK3303010L
仓库库存编号:
FK3303010LCT-ND
别名:FK3303010LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523
详细描述:表面贴装 N 沟道 270mA(Ta) 280mW(Ta) SOT-523
型号:
DMN313DLT-7
仓库库存编号:
DMN313DLT-7DICT-ND
别名:DMN313DLT-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Tc) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX3008NBK,215
仓库库存编号:
1727-1220-1-ND
别名:1727-1220-1
568-10406-1
568-10406-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 230mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX3008PBK,215
仓库库存编号:
1727-1281-1-ND
别名:1727-1281-1
568-10499-1
568-10499-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) SMini3-F2-B
型号:
FK3503010L
仓库库存编号:
FK3503010LCT-ND
别名:FK3503010LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 260mW(Ta),830mW(Tc) SOT-323-3
型号:
NX3008PBKW,115
仓库库存编号:
1727-1284-1-ND
别名:1727-1284-1
568-10503-1
568-10503-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 260mW(Ta),830mW(Tc) SOT-323-3
型号:
NX3008NBKW,115
仓库库存编号:
1727-1280-1-ND
别名:1727-1280-1
568-10498-1
568-10498-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 180mA 375mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
NX3020NAKS,115
仓库库存编号:
1727-1286-1-ND
别名:1727-1286-1
568-10505-1
568-10505-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 300mW Surface Mount US6
型号:
SSM6N15AFU,LF
仓库库存编号:
SSM6N15AFULFCT-ND
别名:SSM6N15AFULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3
详细描述:表面贴装 N 沟道 900mA(Ta) 350mW(Ta),5.43W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB390UNEYL
仓库库存编号:
1727-2330-1-ND
别名:1727-2330-1
568-12616-1
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产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB200UNEYL
仓库库存编号:
1727-2327-1-ND
别名:1727-2327-1
568-12613-1
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产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RJU003N03T106
仓库库存编号:
RJU003N03T106CT-ND
别名:RJU003N03T106CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SC-70
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 342mW(Ta) SC-70
型号:
PMF250XNEX
仓库库存编号:
1727-2693-1-ND
别名:1727-2693-1
568-13212-1
568-13212-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 150MA MCP
详细描述:表面贴装 N 沟道 150mA(Ta) 150mW(Ta) SC-70 / MCPH3
型号:
3LN01M-TL-H
仓库库存编号:
3LN01M-TL-HOSCT-ND
别名:3LN01M-TL-HOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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