产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS83PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS83P H6327CT
BSS83P H6327CT-ND
BSS83PH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML0060TRPBF
仓库库存编号:
IRLML0060TRPBFCT-ND
别名:IRLML0060TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2060TRPBF
仓库库存编号:
IRLML2060TRPBFCT-ND
别名:IRLML2060TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NH6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS159NH6906XTSA1CT-ND
别名:BSS159N H6906CT
BSS159N H6906CT-ND
BSS159NH6906XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP295H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP295H6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3 GCT-ND
BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC097N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC097N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC097N06NSATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC110N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N06LS3 G
仓库库存编号:
BSZ100N06LS3GINCT-ND
别名:BSZ100N06LS3GINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC076N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC076N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC076N06NS3 GCT
BSC076N06NS3 GCT-ND
BSC076N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD088N06N3 G
仓库库存编号:
IPD088N06N3 GCT-ND
别名:IPD088N06N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC067N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC067N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC067N06LS3 GINCT
BSC067N06LS3 GINCT-ND
BSC067N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),20A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ067N06LS3 G
仓库库存编号:
BSZ067N06LS3GINCT-ND
别名:BSZ067N06LS3GINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1018ETRPBF
仓库库存编号:
IRFR1018ETRPBFCT-ND
别名:IRFR1018ETRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 143W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3636TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3636TRPBFCT-ND
别名:IRLR3636TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7351TRPBF
仓库库存编号:
IRF7351TRPBFCT-ND
别名:IRF7351TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD034N06N3 G
仓库库存编号:
IPD034N06N3 GINCT-ND
别名:IPD034N06N3 GINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC031N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3 GCT-ND
BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),90A(Tc) 2.2W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB028N06NN3 G
仓库库存编号:
BSB028N06NN3 GCT-ND
别名:BSB028N06NN3 GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC028N06NS
BSC028N06NS-ND
BSC028N06NSATMA1CT
BSC028N06NSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC028N06LS3 GCT
BSC028N06LS3 GCT-ND
BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 99W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7546PBF
仓库库存编号:
IRFB7546PBF-ND
别名:SP001560262
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB019N06L3 G
仓库库存编号:
IPB019N06L3 GCT-ND
别名:IPB019N06L3 GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRLS3036TRL7PP
仓库库存编号:
IRLS3036TRL7PPCT-ND
别名:IRLS3036TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB016N06L3 G
仓库库存编号:
IPB016N06L3 GCT-ND
别名:IPB016N06L3 GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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