产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 260A(Tc) 960mW(Ta), 170W(Tc) 8-DSOP Advance
型号:
TPW1R306PL,L1Q
仓库库存编号:
TPW1R306PLL1QCT-ND
别名:TPW1R306PLL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 30A
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ461EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ461EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ461EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 42.8W(Tc) I-Pak
型号:
STD12NF06L-1
仓库库存编号:
497-6730-5-ND
别名:497-6730-5
STD12NF06L-1-ND
STD12NF06L1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),80A(Tc) 242W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB5800
仓库库存编号:
FDB5800CT-ND
别名:FDB5800CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP36NF06L
仓库库存编号:
497-7522-5-ND
别名:497-7522-5
STP36NF06L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100A(Ta) 90W(Tc) ATPAK
型号:
ATP304-TL-H
仓库库存编号:
ATP304-TL-HOSCT-ND
别名:ATP304-TL-HOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP65NF06
仓库库存编号:
497-7529-5-ND
别名:497-7529-5
STP65NF06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 47A(Tc) 3.75W(Ta),160W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB47P06TM_AM002
仓库库存编号:
FQB47P06TM_AM002CT-ND
别名:FQB47P06TM_AM002CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44PBF
仓库库存编号:
IRFZ44PBF-ND
别名:*IRFZ44PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R5-60E,118
仓库库存编号:
1727-7136-1-ND
别名:1727-7136-1
568-9569-1
568-9569-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55A(Tc) 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM55P06-19L-E3
仓库库存编号:
SUM55P06-19L-E3CT-ND
别名:SUM55P06-19L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P06-07L-E3
仓库库存编号:
SUM110P06-07L-E3CT-ND
别名:SUM110P06-07L-E3-ND
SUM110P06-07L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 125W(Tc) TO-220
型号:
STP100N6F7
仓库库存编号:
497-15888-5-ND
别名:497-15888-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100A(Ta) 90W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
BBS3002-DL-1E
仓库库存编号:
BBS3002-DL-1EOSCT-ND
别名:BBS3002-DL-1EOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 47A(Tc) 160W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP47P06
仓库库存编号:
FQP47P06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),272W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P06-08L-E3
仓库库存编号:
SUM110P06-08L-E3CT-ND
别名:SUM110P06-08L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB035AN06A0
仓库库存编号:
FDB035AN06A0CT-ND
别名:FDB035AN06A0CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 395W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB024N06
仓库库存编号:
FDB024N06CT-ND
别名:FDB024N06CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 30A(Tc) 62W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF47P06
仓库库存编号:
FQPF47P06FS-ND
别名:FQPF47P06-ND
FQPF47P06FS
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N06-3M9H-E3
仓库库存编号:
SUM110N06-3M9H-E3CT-ND
别名:SUM110N06-3M9H-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 60V 31A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2031ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2031ENGRCT-ND
别名:917-EPC2031ENGRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3
详细描述:通孔 N 沟道 410mA(Ta) 6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6660
仓库库存编号:
2N6660MC-ND
别名:2N6660MC
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR5103NT1G
仓库库存编号:
NTR5103NT1GOSCT-ND
别名:NTR5103NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 200mW(Ta) SST3
型号:
RK7002BMT116
仓库库存编号:
RK7002BMT116CT-ND
别名:RK7002BMT116CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23
型号:
T2N7002AK,LM
仓库库存编号:
T2N7002AKLMCT-ND
别名:T2N7002AKLM(BCT
T2N7002AKLM(BCT-ND
T2N7002AKLMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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