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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 29.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF9N60NT
  仓库库存编号：FCPF9N60NT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R160C6
  仓库库存编号：IPP60R160C6-ND
  别名：IPP60R160C6XKSA1
  SP000652796
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190E6
  仓库库存编号：IPW60R190E6-ND
  别名：IPW60R190E6FKSA1
  SP000797384
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R160C6
  仓库库存编号：IPA60R160C6-ND
  别名：IPA60R160C6XKSA1
  SP000652794
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI26N60M2
  仓库库存编号：497-16517-5-ND
  别名：497-16517-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF26N60M2
  仓库库存编号：497-16514-5-ND
  别名：497-16514-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6010ANX
  仓库库存编号：R6010ANX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R180C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R180C7XKSA1-ND
  别名：SP001296232
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60
  仓库库存编号：FCP190N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6020ENZC8
  仓库库存编号：R6020ENZC8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6020ENZ1C9
  仓库库存编号：R6020ENZ1C9-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHA22N60E-E3-ND
  别名：SIHA22N60E-E3CT
  SIHA22N60E-E3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R160C6
  仓库库存编号：IPW60R160C6-ND
  别名：IPW60R160C6FKSA1
  SP000652798
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP21N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP21N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114648
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 FP
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA21N60EF-E3
  仓库库存编号：SIHA21N60EF-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHB22N60E-E3-ND
  别名：SIHB22N60EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40LCPBF
  仓库库存编号：IRFBC40LCPBF-ND
  别名：*IRFBC40LCPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG21N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG21N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R125C6
  仓库库存编号：IPP60R125C6-ND
  别名：IPP60R125C6XKSA1
  SP000685844
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF35N60DM2
  仓库库存编号：497-16358-5-ND
  别名：497-16358-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-220
  
  型号：STP35N60DM2
  仓库库存编号：497-16359-5-ND
  别名：497-16359-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125C6
  仓库库存编号：IPW60R125C6-ND
  别名：IPW60R125C6FKSA1
  SP000641912
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 27A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK27S60L
  仓库库存编号：785-1534-5-ND
  别名：AOK27S60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R099P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R099P6XKSA1-ND
  别名：SP001114654
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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