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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG28N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N60E-GE3-ND
  别名：SIHG33N60E-GE3CT
  SIHG33N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6020ANX
  仓库库存编号：R6020ANX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6020FNX
  仓库库存编号：R6020FNX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6047ENZ1C9
  仓库库存编号：R6047ENZ1C9-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 40A
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247
  
  型号：STW48N60DM2
  仓库库存编号：497-16360-5-ND
  别名：497-16360-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP22N60KPBF
  仓库库存编号：IRFP22N60KPBF-ND
  别名：*IRFP22N60KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16309-5-ND
  别名：497-16309-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 42A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：STWA48N60M2
  仓库库存编号：497-16513-5-ND
  别名：497-16513-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Sanken
  MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15-SIP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 600V 7A Through Hole 15-SIP
  
  型号：SLA5201
  仓库库存编号：SLA5201-ND
  别名：SLA5201 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6046FNZ1C9
  仓库库存编号：R6046FNZ1C9-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW70N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHW70N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA47N60F
  仓库库存编号：FCA47N60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6046FNZC8
  仓库库存编号：R6046FNZC8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1NB60SCT A3G
  仓库库存编号：TSM1NB60SCT A3GTB-ND
  别名：TSM1NB60SCT A3GTB
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1NB60SCT A3G
  仓库库存编号：TSM1NB60SCT A3GCT-ND
  别名：TSM1NB60SCT A3GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGTR-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGCT-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGDKR-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ1HN60K3-AP
  仓库库存编号：497-13784-1-ND
  别名：497-13784-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.7A（Tc） 48W（Ta） TO-252
  
  型号：DMG4N60SK3-13
  仓库库存编号：DMG4N60SK3-13DICT-ND
  别名：DMG4N60SK3-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD3NK60ZT4
  仓库库存编号：497-4102-1-ND
  别名：497-4102-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK560P60Y,RQ
  仓库库存编号：TK560P60YRQCT-ND
  别名：TK560P60YRQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.7A（Tc） 30W（Tc） DPAK
  
  型号：TK380P60Y,RQ
  仓库库存编号：TK380P60YRQCT-ND
  别名：TK380P60YRQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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