产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA22N60AE-E3
仓库库存编号:
SIHA22N60AE-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP22N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHP22N60AE-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-247
型号:
STW19NM60N
仓库库存编号:
497-13792-5-ND
别名:497-13792-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 13.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STP14NK60ZFP
仓库库存编号:
497-12608-5-ND
别名:497-12608-5
STP14NK60ZFP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 179W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB22N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60AE-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 109W(Tc) TO-220
型号:
STP13NM60ND
仓库库存编号:
497-13881-5-ND
别名:497-13881-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 179W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N60AE-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STP13NK60ZFP
仓库库存编号:
497-12605-5-ND
别名:497-12605-5
STP13NK60ZFP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc)
型号:
SIHP22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP22N60E-GE3-ND
别名:SIHP22N60E-GE3CT
SIHP22N60E-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-247
型号:
STW18N60M2
仓库库存编号:
497-15284-5-ND
别名:497-15284-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI24NM60N
仓库库存编号:
497-12859-5-ND
别名:497-12859-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R165CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R165CPXKSA1-ND
别名:IPP60R165CP
IPP60R165CP-ND
IPP60R165CPX
IPP60R165CPXK
SP000084279
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP16N60
仓库库存编号:
FCP16N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK25A60X,S5X
仓库库存编号:
TK25A60XS5X-ND
别名:TK25A60X,S5X(M
TK25A60XS5X
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASPBF
仓库库存编号:
IRFBC40ASPBF-ND
别名:*IRFBC40ASPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 180W(Tc) TO-247
型号:
TK25N60X,S1F
仓库库存编号:
TK25N60XS1F-ND
别名:TK25N60X,S1F(S
TK25N60XS1F
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG23N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STP11NM60FDFP
仓库库存编号:
497-5392-5-ND
别名:497-5392-5
STP11NM60FDFP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP25N60EFL-GE3
仓库库存编号:
SIHP25N60EFL-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK25A60X5,S5X
仓库库存编号:
TK25A60X5S5X-ND
别名:TK25A60X5,S5X(M
TK25A60X5S5X
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 190W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
STI33N60M2
仓库库存编号:
497-15016-5-ND
别名:497-15016-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP18NM60ND
仓库库存编号:
497-13882-5-ND
别名:497-13882-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 140W(Tc) I2PAK
型号:
STI26NM60N
仓库库存编号:
497-12261-ND
别名:497-12261
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MOSFET N-CH 600V 18A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
STW24N60M2
仓库库存编号:
497-13594-5-ND
别名:497-13594-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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