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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD5N60TM
  仓库库存编号：FCD5N60TMCT-ND
  别名：FCD5N60TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD7N60TM
  仓库库存编号：FCD7N60TMCT-ND
  别名：FCD7N60TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK7P60W5,RVQ
  仓库库存编号：TK7P60W5RVQCT-ND
  别名：TK7P60W5RVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7NM60N
  仓库库存编号：497-11042-1-ND
  别名：497-11042-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD16N60M2
  仓库库存编号：497-15461-1-ND
  别名：497-15461-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD1NK60-1
  仓库库存编号：497-12782-5-ND
  别名：497-12782-5
  STD1NK60-1-ND
  STD1NK601
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R385CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R385CPATMA1CT-ND
  别名：IPD60R385CPATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC20PBF
  仓库库存编号：IRFBC20PBF-ND
  别名：*IRFBC20PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD2HNK60Z-1
  仓库库存编号：497-12783-5-ND
  别名：497-12783-5
  STD2HNK60Z-1-ND
  STD2HNK60Z1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP4NK60Z
  仓库库存编号：497-3191-5-ND
  别名：497-3191-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU6N60M2
  仓库库存编号：497-13978-5-ND
  别名：497-13978-5
  STU6N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 92.6W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD9N60NTM
  仓库库存编号：FCD9N60NTMCT-ND
  别名：FCD9N60NTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP7N60M2
  仓库库存编号：497-13975-5-ND
  别名：497-13975-5
  STP7N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.4A（Tc） 176W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R180P6AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R180P6AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R180P6AUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N60M2
  仓库库存编号：497-13945-5-ND
  别名：497-13945-5
  STF10N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK6A60DSTA4QM-ND
  别名：TK6A60DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12NK60Z
  仓库库存编号：497-4808-5-ND
  别名：497-4808-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU7NM60N
  仓库库存编号：497-12367-ND
  别名：497-12367
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10NM60N
  仓库库存编号：497-12564-5-ND
  别名：497-12564-5
  STF10NM60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190C6
  仓库库存编号：IPA60R190C6-ND
  别名：IPA60R190C6XKSA1
  SP000621152
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK13A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK13A60DSTA4QM-ND
  别名：TK13A60DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB26NM60N
  仓库库存编号：497-10985-1-ND
  别名：497-10985-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB21NM60ND
  仓库库存编号：497-8471-1-ND
  别名：497-8471-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 27A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT27S60L
  仓库库存编号：785-1252-5-ND
  别名：785-1252-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60FTM
  仓库库存编号：FCB20N60FTMCT-ND
  别名：FCB20N60FTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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