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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13NM60ND
  仓库库存编号：497-13865-5-ND
  别名：497-13865-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF11NM60ND
  仓库库存编号：497-11884-5-ND
  别名：497-11884-5
  STF11NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R099CP
  仓库库存编号：IPB60R099CPCT-ND
  别名：IPB60R099CPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.5A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB23NM60ND
  仓库库存编号：497-8472-1-ND
  别名：497-8472-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP24N60M2
  仓库库存编号：497-13556-5-ND
  别名：497-13556-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：STF24N60DM2
  仓库库存编号：497-15115-5-ND
  别名：497-15115-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC60LCPBF
  仓库库存编号：IRFPC60LCPBF-ND
  别名：*IRFPC60LCPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 35W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R099C6
  仓库库存编号：IPA60R099C6-ND
  别名：IPA60R099C6XKSA1
  SP000658000
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099C6
  仓库库存编号：IPP60R099C6-ND
  别名：IPP60R099C6XKSA1
  SP000687556
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 39A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK42S60L
  仓库库存编号：785-1535-5-ND
  别名：AOK42S60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH104N60F
  仓库库存编号：FCH104N60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60E-GE3-ND
  别名：SIHB33N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF21NM60ND
  仓库库存编号：497-11885-5-ND
  别名：497-11885-5
  STF21NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099C6
  仓库库存编号：IPW60R099C6-ND
  别名：IPW60R099C6FKSA1
  SP000641908
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK39N60W5,S1VF
  仓库库存编号：TK39N60W5S1VF-ND
  别名：TK39N60W5,S1VF(S
  TK39N60W5S1VF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF26NM60N
  仓库库存编号：497-11886-5-ND
  别名：497-11886-5
  STF26NM60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK31N60W5,S1VF
  仓库库存编号：TK31N60W5S1VF-ND
  别名：TK31N60W5,S1VF(S
  TK31N60W5,S1VF-ND
  TK31N60W5S1VF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP27N60KPBF
  仓库库存编号：IRFP27N60KPBF-ND
  别名：*IRFP27N60KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP34NM60N
  仓库库存编号：497-10884-5-ND
  别名：497-10884-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 57.7A（Tc） 480.8W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R074C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R074C6XKSA1-ND
  别名：SP000898652
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF40N60M2
  仓库库存编号：497-14193-5-ND
  别名：497-14193-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW40N60M2
  仓库库存编号：497-15538-5-ND
  别名：497-15538-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH10P60
  仓库库存编号：IXTH10P60-ND
  别名：Q1152201
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N60P
  仓库库存编号：IXFH36N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3202PS
  仓库库存编号：TPH3202PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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