以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Transphorm
  GAN FET 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3202PD
  仓库库存编号：TPH3202PD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6076ENZ1C9
  仓库库存编号：R6076ENZ1C9-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
  
  型号：TK62N60X,S1F
  仓库库存编号：TK62N60XS1F-ND
  别名：TK62N60X,S1F(S
  TK62N60XS1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296190
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 77A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 592W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH041N60E
  仓库库存编号：FCH041N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Transphorm
  GAN FET 600V 17A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LD
  仓库库存编号：TPH3206LD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Transphorm
  GAN FET 600V 17A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LS
  仓库库存编号：TPH3206LS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247
  
  型号：STW47NM60ND
  仓库库存编号：497-13126-5-ND
  别名：497-13126-5
  STW47NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Transphorm
  GAN FET 600V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3206PD
  仓库库存编号：TPH3206PD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 77.5A（Tc） 481W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R041C6
  仓库库存编号：IPW60R041C6-ND
  别名：IPW60R041C6FKSA1
  SP000718886
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 39A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 330W（Tc） TO-247
  
  型号：STW48NM60N
  仓库库存编号：497-11367-5-ND
  别名：497-11367-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 80A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK80N60P3
  仓库库存编号：IXFK80N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 68A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 68A（Tc） 450W（Tc） TO-247
  
  型号：STW70N60M2
  仓库库存编号：497-14226-5-ND
  别名：497-14226-5
  STW70N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NTP8G202NG
  仓库库存编号：NTP8G202NGOS-ND
  别名：NTP8G202NGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N60
  仓库库存编号：IXFK44N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 797W（Tc） TO-3P（L）
  
  型号：TK100L60W,VQ
  仓库库存编号：TK100L60WVQ-ND
  别名：TK100L60W,VQ(O
  TK100L60WVQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126H6327XTSA2
  仓库库存编号：BSS126H6327XTSA2CT-ND
  别名：BSS126H6327XTSA2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R3K4CEATMA1
  仓库库存编号：IPN60R3K4CEATMA1CT-ND
  别名：IPN60R3K4CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS225H6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS225H6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS225H6327FTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K3C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K3C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R3K3C6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126H6906XTSA1
  仓库库存编号：BSS126H6906XTSA1CT-ND
  别名：BSS126 H6906CT
  BSS126 H6906CT-ND
  BSS126H6906XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2NK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12345-3-ND
  别名：497-12345-3
  STQ2NK60ZRAP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N60NZTM
  仓库库存编号：FDD5N60NZTMCT-ND
  别名：FDD5N60NZTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
  
  型号：IPL60R650P6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R650P6SATMA1CT-ND
  别名：IPL60R650P6SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
• 无铅
• 搜索