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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R950C6
  仓库库存编号：IPB60R950C6CT-ND
  别名：IPB60R950C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R380P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R380P6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R450E6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R450E6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600C6
  仓库库存编号：IPB60R600C6CT-ND
  别名：IPB60R600C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU4N60
  仓库库存编号：785-1522-5-ND
  别名：AOU4N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6A CPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 40W（Tc） CPT3
  
  型号：R6006ANDTL
  仓库库存编号：R6006ANDTLCT-ND
  别名：R6006ANDTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF06N60ZG
  仓库库存编号：NDF06N60ZGOS-ND
  别名：NDF06N60ZG-ND
  NDF06N60ZGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R950C6
  仓库库存编号：IPP60R950C6-ND
  别名：IPP60R950C6XKSA1
  SP000629364
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.9A（Tc） 126W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R255P6AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R255P6AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R255P6AUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFUC20PBF
  仓库库存编号：IRFUC20PBF-ND
  别名：*IRFUC20PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF2HNK60Z
  仓库库存编号：497-12575-5-ND
  别名：497-12575-5
  STF2HNK60Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU12N60M2
  仓库库存编号：497-16024-5-ND
  别名：497-16024-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N60DM2
  仓库库存编号：497-16959-ND
  别名：497-16959
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10N60M2
  仓库库存编号：497-13970-5-ND
  别名：497-13970-5
  STP10N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI12N60M2
  仓库库存编号：497-16015-5-ND
  别名：497-16015-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600V M2 POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 169W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB26N60M2
  仓库库存编号：497-17546-1-ND
  别名：497-17546-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP5NK60Z
  仓库库存编号：497-3196-5-ND
  别名：497-3196-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU16N60M2
  仓库库存编号：497-16025-5-ND
  别名：497-16025-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6006ANX
  仓库库存编号：R6006ANX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
  
  型号：SIHD7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHD7N60E-GE3-ND
  别名：SIHD7N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 36W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF260N60E
  仓库库存编号：FCPF260N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFDC20PBF
  仓库库存编号：IRFDC20PBF-ND
  别名：*IRFDC20PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6008ANX
  仓库库存编号：R6008ANX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 156W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW10NK60Z
  仓库库存编号：497-3253-5-ND
  别名：497-3253-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16487-5-ND
  别名：497-16487-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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