以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC5602CTR
  仓库库存编号：CLA298CT-ND
  别名：CLA298CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 72mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：DN3135K1-G
  仓库库存编号：DN3135K1-GCT-ND
  别名：DN3135K1-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 135mA（Tj） 1.3W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3135N8-G
  仓库库存编号：DN3135N8-GCT-ND
  别名：DN3135N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3535N8-G
  仓库库存编号：DN3535N8-GCT-ND
  别名：DN3535N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G
  仓库库存编号：DN2535N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2535N3-G
  仓库库存编号：TP2535N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 85mA（Tj） 360mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：TP5335K1-G
  仓库库存编号：TP5335K1-GCT-ND
  别名：TP5335K1-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DN2535N5-G
  仓库库存编号：DN2535N5-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 180mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2635N3-G
  仓库库存编号：TP2635N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-89
  
  型号：CPC3708CTR
  仓库库存编号：CLA4144CT-ND
  别名：CLA4144CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC3708ZTR
  仓库库存编号：CLA4145CT-ND
  别名：CLA4145CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G-P003
  仓库库存编号：DN2535N3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G-P013
  仓库库存编号：DN2535N3-G-P013-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：TN5335K1-G
  仓库库存编号：TN5335K1-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 230mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TN5335N8-G
  仓库库存编号：TN5335N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 365MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 365mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TN2435N8-G
  仓库库存编号：TN2435N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 231mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TP2435N8-G
  仓库库存编号：TP2435N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350V 90mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN2535ASTOA
  仓库库存编号：ZVN2535ASTOA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350V 90mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN2535ASTOB
  仓库库存编号：ZVN2535ASTOB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350V 90mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN2535ASTZ
  仓库库存编号：ZVN2535ASTZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 350V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 350V 12A（Tc） 31.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N35
  仓库库存编号：FDPF12N35-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 350V SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 1.4W（Ta） SOT-89
  
  型号：CPC3714C
  仓库库存编号：CPC3714C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 350V SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 1.4W（Ta） SOT-89
  
  型号：CPC3720C
  仓库库存编号：CPC3720C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 350V SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 1.6W（Ta） SOT-89
  
  型号：CPC3730C
  仓库库存编号：CPC3730C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 900mA（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：HAT2131R-EL-E
  仓库库存编号：HAT2131R-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 350V,
• 无铅
• 搜索