产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-220
型号:
GP1M003A080H
仓库库存编号:
GP1M003A080H-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A080PH
仓库库存编号:
GP1M003A080PH-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 40.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A080FH
仓库库存编号:
GP1M008A080FH-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
GP1M003A080CH
仓库库存编号:
1560-1155-1-ND
别名:1560-1155-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M003A080FH
仓库库存编号:
1560-1156-5-ND
别名:1560-1156-1
1560-1156-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A080H
仓库库存编号:
1560-1170-5-ND
别名:1560-1170-1
1560-1170-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M010A080FH
仓库库存编号:
1560-1176-5-ND
别名:1560-1176-1
1560-1176-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A080H
仓库库存编号:
1560-1177-5-ND
别名:1560-1177-1
1560-1177-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M007A080F
仓库库存编号:
1560-1203-5-ND
别名:1560-1203-1
1560-1203-1-ND
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 416W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M012A080NG
仓库库存编号:
1560-1211-5-ND
别名:1560-1211-1
1560-1211-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:漏源电压(Vdss) 800V,
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