产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 600V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 41A(DC) PG-TO263-3-2
型号:
IDB23E60ATMA1
仓库库存编号:
IDB23E60ATMA1TR-ND
别名:IDB23E60
IDB23E60-ND
SP000278566
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 600V,
无铅
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NXP USA Inc.
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 4A DO-201AD
型号:
NUR460/L01,112
仓库库存编号:
NUR460/L01,112-ND
别名:934066108112
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 600V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 4A DO-201AD
型号:
NUR460/L02,112
仓库库存编号:
568-9720-5-ND
别名:568-9720
568-9720-5
568-9720-ND
934066109112
NUR460/L02,112-ND
NUR460L02112
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 600V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 4A DO-201AD
型号:
NUR460/L04,112
仓库库存编号:
NUR460/L04,112-ND
别名:934066197112
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 600V,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 650V 3A(DC) PG-TO220-2
型号:
IDH03G65C5XKSA1
仓库库存编号:
IDH03G65C5XKSA1-ND
别名:IDH03G65C5
IDH03G65C5-ND
SP000925196
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 600V,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5.6A PG-TO252-3
型号:
IDD04S60C
仓库库存编号:
IDD04S60CBUMA1CT-ND
别名:IDD04S60CCT
IDD04S60CCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 600V,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 4A(DC) 模具
型号:
IDC04S60CEX1SA1
仓库库存编号:
IDC04S60CEX1SA1-ND
别名:SP000599920
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 600V,
无铅
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