产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),29A(Tc) 2.8W(Ta) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFH3707TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH3707TR2PBFCT-ND
别名:IRFH3707TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
TRANSISTOR RF NPN 50MA SOT-343
详细描述:RF Transistor NPN 5.8V 70mA 22GHz 230mW Surface Mount PG-SOT343-4
型号:
BFP460E6327HTSA1
仓库库存编号:
BFP460E6327HTSA1CT-ND
别名:BFP460E6327
BFP460E6327INCT
BFP460E6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 530mW(Ta),8.33W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN27XPE,115
仓库库存编号:
1727-1356-1-ND
别名:1727-1356-1
568-10798-1
568-10798-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD78CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD78CN10NGBUMA1CT-ND
别名:IPD78CN10N GCT
IPD78CN10N GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5303TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5303TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5303TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPB42N03S2L13INCT-ND
别名:SPB42N03S2L13
SPB42N03S2L13INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO065N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO065N03MS GINCT
BSO065N03MS GINCT-ND
BSO065N03MSG
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 46W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF13N03LA G
仓库库存编号:
IPF13N03LAGINCT-ND
别名:IPF13N03LAG
IPF13N03LAGINCT
IPF13N03LAINCT
IPF13N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB02N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB02N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB02N60S5INCT
SPB02N60S5INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU039N03LGXK
仓库库存编号:
IPU039N03LGXK-ND
别名:IPU039N03L G
IPU039N03LGIN
IPU039N03LGIN-ND
SP000256162
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU135N08N3 G
仓库库存编号:
IPU135N08N3 G-ND
别名:IPU135N08N3G
IPU135N08N3GBKMA1
SP000521642
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),114W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5104TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5104TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5104TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ32 H
仓库库存编号:
BUZ32 H-ND
别名:BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LB G
仓库库存编号:
IPD06N03LBGINCT-ND
别名:IPD06N03LBG
IPD06N03LBGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.6A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N03SG
仓库库存编号:
BSC079N03SGINCT-ND
别名:BSC079N03SGINCT
BSC079N03SGXTINCT
BSC079N03SGXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LAT
仓库库存编号:
IPB04N03LAXTINCT-ND
别名:IPB04N03LAXTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LA
仓库库存编号:
IPB04N03LAINCT-ND
别名:IPB04N03LAINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 130W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU3705ZPBF
仓库库存编号:
IRLU3705ZPBF-ND
别名:*IRLU3705ZPBF
SP001568710
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),63A(Tc) 1.8W(Ta),26W(Tc) DIRECTFET S1
型号:
IRF6706S2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6706S2TR1PBFCT-ND
别名:IRF6706S2TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB080N06N G
仓库库存编号:
IPB080N06NGINCT-ND
别名:IPB080N06NG
IPB080N06NGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N06S3L04XK
仓库库存编号:
IPI100N06S3L04XK-ND
别名:IPI100N06S3L-04
IPI100N06S3L-04-ND
IPI100N06S3L-04IN
IPI100N06S3L-04IN-ND
IPI100N06S3L04X
SP000102211
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),55A(Tc) 1.4W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6623
仓库库存编号:
IRF6623CT-ND
别名:*IRF6623
IRF6623CT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB03N03LB G
仓库库存编号:
IPB03N03LBGINCT-ND
别名:IPB03N03LBG
IPB03N03LBGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3717
仓库库存编号:
IRF3717-ND
别名:*IRF3717
SP001561700
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7C06-40AITE,118
仓库库存编号:
1727-7175-1-ND
别名:1727-7175-1
568-9660-1
568-9660-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 过期,
无铅
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