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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 47A 206W TO220
  详细描述：IGBT 600V 47A 206W Through Hole TO-220AC
  
  型号：IRGB4630DPBF
  仓库库存编号：IRGB4630DPBF-ND
  别名：SP001537630
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 65A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT 600V 65A 250W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4640DPBF
  仓库库存编号：IRGP4640DPBF-ND
  别名：IRGP4640D-DPBF-ND
  SP001535770
  SP00153770
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC SMART POWER MOD 3A SPM23-AA
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 1.5A 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm)
  
  型号：FSB50450
  仓库库存编号：FSB50450-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOD SPM 500V 1.1A SPM23-HD
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 1.1A 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm)
  
  型号：FSB50250UD
  仓库库存编号：FSB50250UD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG47N60E-E3-ND
  别名：SIHG47N60EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 12.5V 50mA 520MHz 15dB 3W PLD-1.5
  
  型号：MRF1513NT1
  仓库库存编号：MRF1513NT1CT-ND
  别名：MRF1513NT1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 150mA 175MHz 13dB 8W PLD-1.5
  
  型号：MRF1511NT1
  仓库库存编号：MRF1511NT1CT-ND
  别名：MRF1511NT1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MODULE SPM 500V 1.2A SPM23
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 2A 23-PowerSMD Module, Gull Wing
  
  型号：FSB50550US
  仓库库存编号：FSB50550USCT-ND
  别名：FSB50550USCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 250V 4A 23-PowerSMD Module, Gull Wing
  
  型号：FSB50825US
  仓库库存编号：FSB50825USCT-ND
  别名：FSB50825USCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MODULE SPM 500V 1.0A SPM23-BD
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 1.5A 23-PowerSMD Module, Gull Wing
  
  型号：FSB50450US
  仓库库存编号：FSB50450USCT-ND
  别名：FSB50450USCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC SMART POWER MOD 3A SPM23-BA
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 1.5A 23-PowerSMD Module, Gull Wing
  
  型号：FSB50450S
  仓库库存编号：FSB50450SCT-ND
  别名：FSB50450S-ND
  FSB50450SCT
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 350mA 880MHz 22.1dB 10W TO-270-2
  
  型号：MRFE6S9045NR1
  仓库库存编号：MRFE6S9045NR1CT-ND
  别名：MRFE6S9045NR1CT
  
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• NXP USA Inc.
  IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 12.5V 500mA 520MHz 13.5dB 35W TO-272-6
  
  型号：MRF1535FNT1
  仓库库存编号：MRF1535FNT1CT-ND
  别名：MRF1535FNT1CT
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 2.45GHZ TO-272-16
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 55mA 2.45GHz 27.7dB 25W TO-272 WB-16
  
  型号：MW7IC2425NBR1
  仓库库存编号：MW7IC2425NBR1CT-ND
  别名：MW7IC2425NBR1CT
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 2.6A 225MHz 25dB 125W NI-1230
  
  型号：MRF6VP2600HR5
  仓库库存编号：MRF6VP2600HR5CT-ND
  别名：MRF6VP2600HR5CT
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 150mA 130MHz 26dB 1000W NI-1230
  
  型号：MRF6VP11KHR5
  仓库库存编号：MRF6VP11KHR5CT-ND
  别名：MRF6VP11KHR5CT
  
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• Infineon Technologies
  DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
  详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SOD323-2
  
  型号：BB535E7904HTSA1
  仓库库存编号：BB535E7904HTSA1CT-ND
  别名：BB535E7904HTSA1CT
  BB535E7904INCT
  BB535E7904INCT-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R1K4CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R1K4CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R1K4CEBTMA1CT
  IPD50R1K4CECT
  IPD50R1K4CECT-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），57A（Tc） 2.6W（Ta），33W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM8329TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8329TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8329TRPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R800CEATMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K0CEATMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R650CEATMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 4V 110MA TSLP-2
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 4V 100mW PG-TSLP-2
  
  型号：BAT1502LRHE6327XTSA1
  仓库库存编号：BAT1502LRHE6327XTSA1CT-ND
  别名：BAT1502LRHE6327XTSA1CT
  
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10UTRPBF
  仓库库存编号：IRG4RC10UTRPBFCT-ND
  别名：IRG4RC10UTRPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC016N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC016N03LS GCT
  BSC016N03LS GCT-ND
  
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