产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6012ANX
仓库库存编号:
R6012ANX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6020ANZC8
仓库库存编号:
R6020ANZC8-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Ta) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX510N25
仓库库存编号:
RCX510N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 110W(Tc) TO-3PF
型号:
R6015ANZC8
仓库库存编号:
R6015ANZC8-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 304W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 600V 60A 304W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP30B60KD-EP
仓库库存编号:
IRGP30B60KD-EP-ND
别名:*IRGP30B60KD-EP
IRGP30B60KDEP
SP001549784
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 50A 180W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH35UDPBF
仓库库存编号:
IRG7PH35UDPBF-ND
别名:SP001537540
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 454W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4066DPBF
仓库库存编号:
IRGP4066DPBF-ND
别名:SP001545048
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 139W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1003RBLLG
仓库库存编号:
APT1003RBLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 140A 556W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 140A 556W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH50UPBF
仓库库存编号:
IRG7PH50UPBF-ND
别名:SP001541698
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A 390W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH46UDPBF
仓库库存编号:
IRG7PH46UDPBF-ND
别名:SP001542050
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole
型号:
APT40GP60B2DQ2G
仓库库存编号:
APT40GP60B2DQ2G-ND
别名:APT40GP60B2DQ2GMP
APT40GP60B2DQ2GMP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 100A 543W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT40GP90BG
仓库库存编号:
APT40GP90BG-ND
别名:APT40GP90BGMI
APT40GP90BGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 151A 462W SOT227
详细描述:IGBT Module PT Single 600V 151A 462W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT80GP60J
仓库库存编号:
APT80GP60J-ND
别名:APT80GP60JMI
APT80GP60JMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 600V 20A SOT227
详细描述:Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 20A Chassis Mount ISOTOP
型号:
APT2X20DC60J
仓库库存编号:
APT2X20DC60J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 600V 50A SOT227
详细描述:Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 50A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
APT2X50DC60J
仓库库存编号:
APT2X50DC60J-ND
别名:APT2X50DC60JMI
APT2X50DC60JMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N60C
仓库库存编号:
FQPF5N60CFS-ND
别名:FQPF5N60C-ND
FQPF5N60CFS
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 63W D2PAK
详细描述:IGBT NPT 600V 11A 63W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS4B60KD1TRLP
仓库库存编号:
IRGS4B60KD1TRLPCT-ND
别名:IRGS4B60KD1TRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 99W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7746PBF
仓库库存编号:
IRFR7746PBF-ND
别名:SP001576124
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Rohm Semiconductor
DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack
型号:
RFN10T2D
仓库库存编号:
RFN10T2D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1010ZPBF
仓库库存编号:
IRFR1010ZPBF-ND
别名:*IRFR1010ZPBF
SP001578020
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 99W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7446GPBF
仓库库存编号:
IRFB7446GPBF-ND
别名:SP001566710
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
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Rohm Semiconductor
DIODE GEN PURP 430V 20A TO220FN
详细描述:标准 通孔 二极管 20A TO-220FN
型号:
RFUH20TB4S
仓库库存编号:
RFUH20TB4S-ND
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Rohm Semiconductor
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220F
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack
型号:
RB088T150FH
仓库库存编号:
RB088T150FH-ND
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC20FPBF
仓库库存编号:
IRG4BC20FPBF-ND
别名:*IRG4BC20FPBF
SP001547932
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 14A 49W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC15UDPBF
仓库库存编号:
IRG4BC15UDPBF-ND
别名:*IRG4BC15UDPBF
SP001535836
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