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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SH8M2TB1
  仓库库存编号：SH8M2TB1CT-ND
  别名：SH8M2TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN 60V 5A SOT-428
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 5A 120MHz 1W Surface Mount CPT3
  
  型号：2SC5103TLQ
  仓库库存编号：2SC5103TLQCT-ND
  别名：2SC5103TLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS PNP 60V 5A SOT-428
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5A 80MHz 1W Surface Mount CPT3
  
  型号：2SA1952TLQ
  仓库库存编号：2SA1952TLQCT-ND
  别名：2SA1952TLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 6.3A 35W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRGR2B60KDPBF
  仓库库存编号：IRGR2B60KDPBF-ND
  别名：SP001534018
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7P20TM_F085
  仓库库存编号：FQB7P20TM_F085CT-ND
  别名：FQB7P20TM_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 14A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH140P03TB1
  仓库库存编号：RRH140P03TB1CT-ND
  别名：RRH140P03TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），61A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3652
  仓库库存编号：FDB3652CT-ND
  别名：FDB3652CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8J5TB
  仓库库存编号：SP8J5TBCT-ND
  别名：SP8J5TBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1000V 60A 180W TO264
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
  
  型号：FGL60N100BNTDTU
  仓库库存编号：FGL60N100BNTDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MODULE SPM 500V 1.1A SPM23BD
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 1.1A 23-PowerSMD Module, Gull Wing
  
  型号：FSB50250US
  仓库库存编号：FSB50250USCT-ND
  别名：FSB50250USCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 76A 268W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 76A 268W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4650DPBF
  仓库库存编号：IRGP4650DPBF-ND
  别名：SP001535760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 56A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP60BG
  仓库库存编号：APT15GP60BG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V TO-247
  详细描述：IGBT 650V 70A 273W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4750DPBF
  仓库库存编号：IRGP4750DPBF-ND
  别名：SP001546176
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 43A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP90BDQ1G
  仓库库存编号：APT15GP90BDQ1G-ND
  别名：APT15GP90BDQ1GMI
  APT15GP90BDQ1GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 100A 330W TO247AD
  详细描述：IGBT 600V 100A 330W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4660D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4660D-EPBF-ND
  别名：IRGP4660DEPBF
  SP001548232
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MODULE SPM 600V SPM27-CA
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 15A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
  
  型号：FSBB15CH60F
  仓库库存编号：FSBB15CH60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IC MOD PWR HYBRID 600V 10A
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 15A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
  
  型号：IRAM256-1567A
  仓库库存编号：IRAM256-1567A-ND
  别名：SP001540208
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IC MOD PWR HYBRID 600V 8A
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 10A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
  
  型号：IRAM256-1067A
  仓库库存编号：IRAM256-1067A-ND
  别名：SP001536868
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 130A 431W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT65GP60J
  仓库库存编号：APT65GP60J-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  SMART POWER MODULE 20A SPM32-AA
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 20A 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
  
  型号：FSAM20SM60A
  仓库库存编号：FSAM20SM60AFS-ND
  别名：FSAM20SM60A-ND
  FSAM20SM60A_NL
  FSAM20SM60A_NL-ND
  FSAM20SM60AFS
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 110V 220MHZ TO-272-4
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 900mA 220MHz 25.5dB 300W TO-272 WB-4
  
  型号：MRF6V2300NBR5
  仓库库存编号：MRF6V2300NBR5CT-ND
  别名：MRF6V2300NBR5CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 48W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R800CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 28A 167W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 28A 167W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS8B60KTRLPBF
  仓库库存编号：IRGS8B60KTRLPBFCT-ND
  别名：IRGS8B60KTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N10S305AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N10S305AKSA1-ND
  别名：IPP100N10S3-05
  IPP100N10S3-05-ND
  IPP100N10S305
  SP000407126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N04S302AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N04S302AKSA1-ND
  别名：IPP120N04S3-02
  IPP120N04S3-02-ND
  IPP120N04S302
  SP000261228
  
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