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• Rohm Semiconductor
  DIODE ARRAY GP 200V 3A TO220FN
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 3A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  
  型号：RF601T2D
  仓库库存编号：RF601T2D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220FN
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  
  型号：RF2001T2D
  仓库库存编号：RF2001T2D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220FN
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 7.5A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  
  型号：RB205T-40
  仓库库存编号：RB205T-40-ND
  别名：RB205T40
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220FN
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 15A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  
  型号：RB225T-40
  仓库库存编号：RB225T-40-ND
  别名：RB225T40
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R5013ANXFU6
  仓库库存编号：R5013ANXFU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 55A 200W TO247-3
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50UD-EPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50UD-EPBF-ND
  别名：*IRG4PC50UD-EPBF
  IRG4PC50UDEPBF
  SP001544774
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 108A COPAK247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH46UD-EP
  仓库库存编号：IRG7PH46UD-EP-ND
  别名：SP001540700
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 150A 625W TMAX
  详细描述：IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
  
  型号：APT50GP60B2DQ2G
  仓库库存编号：APT50GP60B2DQ2G-ND
  别名：APT50GP60B2DQ2GMI
  APT50GP60B2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 200mA TUMD2S
  
  型号：RRE02VS4SGTR
  仓库库存编号：RRE02VS4SGTRCT-ND
  别名：RRE02VS4SGTRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDU
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 1A PMDU
  
  型号：RB168M150TR
  仓库库存编号：RB168M150CT-ND
  别名：RB168M150TRCT
  RB168M150TRCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 1500V 2A
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 2.5W（Ta），110W（Tc） TO-3P-3L
  
  型号：2SK3746-1E
  仓库库存编号：2SK3746-1EOS-ND
  别名：2SK3746-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 48A 250W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 600V 48A 250W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4062DPBF
  仓库库存编号：IRGP4062DPBF-ND
  别名：SP001545058
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 60A 208W TO247
  详细描述：IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG30N60B3D
  仓库库存编号：HGTG30N60B3D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  SMART POWER MODULE 30A SPM27-EA
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 30A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
  
  型号：FSBB30CH60
  仓库库存编号：FSBB30CH60-ND
  别名：FSBB30CH60_NL
  FSBB30CH60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC SMART PWR MODULE SPM27-EA
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 30A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
  
  型号：FSBB30CH60F
  仓库库存编号：FSBB30CH60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC SMART POWER MOD 20A SPM27-CA
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 20A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
  
  型号：FSBB20CH60F
  仓库库存编号：FSBB20CH60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 20A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
  
  型号：FSBB20CH60CL
  仓库库存编号：FSBB20CH60CL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
  
  型号：DTC124EKAT246
  仓库库存编号：DTC124EKAT246-ND
  
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• Rohm Semiconductor
  TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
  
  型号：DTC125TKAT146
  仓库库存编号：DTC125TKAT146-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT346
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-346
  
  型号：DTA123JKAT246
  仓库库存编号：DTA123JKAT246-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
  
  型号：2SC4617EBTLP
  仓库库存编号：2SC4617EBTLP-ND
  
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN 40V 0.2A SST3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 180MHz 200mW Surface Mount SST3
  
  型号：SST6838T216
  仓库库存编号：SST6838T216-ND
  
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• Rohm Semiconductor
  TRANS PNP 40V 0.2A SST3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 140MHz 200mW Surface Mount SST3
  
  型号：SST6839T216
  仓库库存编号：SST6839T216-ND
  
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• Diodes Incorporated
  DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
  详细描述：标准 通孔 二极管 1A DO-41
  
  型号：1N4007-B
  仓库库存编号：1N4007-BDI-ND
  别名：1N4007-BDI
  
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• Rohm Semiconductor
  TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
  
  型号：DTA115GKAT146
  仓库库存编号：DTA115GKAT146-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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