以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOD SPM 500V 2A SPM23-ED
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 2A 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm)
  
  型号：FSB50550UTD
  仓库库存编号：FSB50550UTD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 72A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP90BDQ1G
  仓库库存编号：APT25GP90BDQ1G-ND
  别名：APT25GP90BDQ1GMI
  APT25GP90BDQ1GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MODULE SPM 250V 3A SPM23-AC
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 250V 1.5A 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm)
  
  型号：FSB50325T
  仓库库存编号：FSB50325T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 463W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-264
  
  型号：APT30GP60LDLG
  仓库库存编号：APT30GP60LDLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A 625W TO247
  详细描述：IGBT 600V 75A 625W Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG40N60A4
  仓库库存编号：HGTG40N60A4-ND
  别名：HGTG40N60A4_NL
  HGTG40N60A4_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 463W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT30GP60BG
  仓库库存编号：APT30GP60BG-ND
  别名：APT30GP60BGMP
  APT30GP60BGMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 543W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT40GP60BG
  仓库库存编号：APT40GP60BG-ND
  别名：APT40GP60BGMI
  APT40GP60BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC SMART POWER MOD 2A SPM23-AA
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 1A 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm)
  
  型号：FSB50250
  仓库库存编号：FSB50250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 543W D3PAK
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S]
  
  型号：APT40GP60SG
  仓库库存编号：APT40GP60SG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6046ANZC8
  仓库库存编号：R6046ANZC8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  SMART POWER MODULE 10A SPM27-BA
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 10A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
  
  型号：FSBS10CH60
  仓库库存编号：FSBS10CH60-ND
  别名：FSBS10CH60_NL
  FSBS10CH60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  SMART POWER MODULE 15A SPM27-BA
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 15A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
  
  型号：FSBS15CH60
  仓库库存编号：FSBS15CH60-ND
  别名：FSBS15CH60_NL
  FSBS15CH60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 200A 833W TMAX
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole
  
  型号：APT75GN120B2G
  仓库库存编号：APT75GN120B2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 625W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT50GP60BG
  仓库库存编号：APT50GP60BG-ND
  别名：APT50GP60BGMI
  APT50GP60BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  SMART POWER MODULE 15A SPM27-CA
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 15A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
  
  型号：FSBB15CH60
  仓库库存编号：FSBB15CH60FS-ND
  别名：FSBB15CH60-ND
  FSBB15CH60_NL
  FSBB15CH60_NL-ND
  FSBB15CH60FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 730W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK120N25
  仓库库存编号：IXTK120N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  SMART POWER MODULE 20A SPM27-CA
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 20A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
  
  型号：FSBB20CH60
  仓库库存编号：FSBB20CH60FS-ND
  别名：FSBB20CH60-ND
  FSBB20CH60_NL
  FSBB20CH60_NL-ND
  FSBB20CH60FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 101A 543W TMAX
  详细描述：IGBT PT 900V 101A 543W Through Hole
  
  型号：APT40GP90B2DQ2G
  仓库库存编号：APT40GP90B2DQ2G-ND
  别名：APT40GP90B2DQ2GMI
  APT40GP90B2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 150A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK150N10
  仓库库存编号：IXFK150N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 198A 833W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
  
  型号：APT65GP60L2DQ2G
  仓库库存编号：APT65GP60L2DQ2G-ND
  别名：APT65GP60L2DQ2GMI
  APT65GP60L2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 10A（DC） TO-220AC
  
  型号：SCS110KGC
  仓库库存编号：SCS110KGC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 600V 10A (DC) Through Hole TO-247-3
  
  型号：SCS120AE2C
  仓库库存编号：SCS120AE2C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MODULE SPM 600V 10A 3PH SPM27-JB
  详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 10A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
  
  型号：FSBF10CH60BTL
  仓库库存编号：FSBF10CH60BTL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 67A 245W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT30GP60JDQ1
  仓库库存编号：APT30GP60JDQ1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 329W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT50GP60J
  仓库库存编号：APT50GP60J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
• 无铅
• 搜索