产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 63W TO262
详细描述:IGBT NPT 600V 11A 63W Through Hole TO-262
型号:
IRGSL4B60KD1PBF
仓库库存编号:
IRGSL4B60KD1PBF-ND
别名:*IRGSL4B60KD1PBF
SP001548286
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.6A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA07N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA07N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000264431
SPA07N60CFD
SPA07N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10SL16ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10SL16ATMA1TR-ND
别名:IPB70N10SL-16
IPB70N10SL-16-ND
SP000225700
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W TO262
详细描述:IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-262
型号:
IRGSL6B60KDPBF
仓库库存编号:
IRGSL6B60KDPBF-ND
别名:*IRGSL6B60KDPBF
63-2008PBF
63-2008PBF-ND
SP001540950
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 156W TO220AB
详细描述:IGBT NPT 600V 22A 156W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGB10B60KDPBF
仓库库存编号:
IRGB10B60KDPBF-ND
别名:*IRGB10B60KDPBF
SP001542270
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_LEGACY
型号:
SPP07N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP07N60S5HKSA1-ND
别名:SP000012115
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_LEGACY
型号:
SPP07N60S5XKSA1
仓库库存编号:
SPP07N60S5XKSA1-ND
别名:SP000681034
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30KPBF
仓库库存编号:
IRG4BC30KPBF-ND
别名:*IRG4BC30KPBF
SP001541942
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N04S303AKSA1-ND
别名:IPP100N04S3-03
IPP100N04S3-03-ND
IPP100N04S303
SP000261227
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 14A 49W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC15UDSTRLP
仓库库存编号:
IRG4BC15UDSTRLP-ND
别名:SP001535854
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N08S207AKSA1-ND
别名:IPP80N08S2-07
IPP80N08S2-07-ND
SP000219040
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 160A(Tc) 195W(Tc) D2PAK
型号:
IRLS3813PBF
仓库库存编号:
IRLS3813PBF-ND
别名:SP001576946
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S08AKSA1
仓库库存编号:
SPP80N06S08AKSA1-ND
别名:SP000054054
SP000084810
SPP80N06S-08
SPP80N06S-08-ND
SPP80N06S08
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 78A 370W TO262
详细描述:IGBT NPT 600V 78A 370W Through Hole TO-262
型号:
IRGSL30B60KPBF
仓库库存编号:
IRGSL30B60KPBF-ND
别名:SP001541980
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPI70N10SL-16
IPI70N10SL-16-ND
SP000225705
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPP70N10SL-16
IPP70N10SL-16-ND
SP000225708
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20UD-SPBF
仓库库存编号:
IRG4BC20UD-SPBF-ND
别名:*IRG4BC20UD-SPBF
SP001535986
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1503SPBF
仓库库存编号:
IRF1503SPBF-ND
别名:*IRF1503SPBF
SP001561632
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA11N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000216317
SPA11N60CFD
SPA11N60CFD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 208W D2PAK
详细描述:IGBT NPT 600V 31A 208W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS15B60KPBF
仓库库存编号:
IRGS15B60KPBF-ND
别名:SP001535722
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_LEGACY
型号:
SPP11N60S5XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60S5XKSA1-ND
别名:SP000681044
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC30UPBF
仓库库存编号:
IRG4PC30UPBF-ND
别名:*IRG4PC30UPBF
SP001536064
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S302AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S302AKSA1-ND
别名:IPI120N04S3-02
IPI120N04S3-02-ND
IPI120N04S302
SP000261225
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N10S305AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N10S305AKSA1-ND
别名:IPI100N10S3-05
IPI100N10S3-05-ND
SP000407128
产品分类:分立半导体产品,规格:零件状态 不可用于新设计,
无铅
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