产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 96A 330W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 600V 96A 330W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP4063PBF
仓库库存编号：
IRGP4063PBF-ND
别名：SP001546206
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 55A 217W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 600V 55A 217W Through Hole TO-247AC
型号：
AUIRGP4062D1
仓库库存编号：
AUIRGP4062D1-ND
别名：SP001512008
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A COPAK247
详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 180W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH35UD-EP
仓库库存编号：
IRG7PH35UD-EP-ND
别名：SP001548020
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 55A 217W TO247AD
详细描述：IGBT Trench 600V 55A 217W Through Hole TO-247AD
型号：
AUIRGP4062D1-E
仓库库存编号：
AUIRGP4062D1-E-ND
别名：SP001511102
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 21.7A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW24N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW24N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000264428
SPW24N60CFD
SPW24N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 90A 385W TO247AD
详细描述：IGBT Trench 1200V 90A 385W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH42U-EP
仓库库存编号：
IRG7PH42U-EP-ND
别名：IRG7PH42UEP
SP001541464
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSC71UPBF
仓库库存编号：
IRG4PSC71UPBF-ND
别名：*IRG4PSC71UPBF
SP001540512
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 60A 300W TO247AC
详细描述：IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP30B120KDPBF
仓库库存编号：
IRGP30B120KDPBF-ND
别名：SP001546224
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 34.1A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW35N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW35N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000065487
SPW35N60CFD
SPW35N60CFD-ND
SPW35N60CFDIN
SPW35N60CFDIN-ND
SPW35N60CFDX
SPW35N60CFDXK
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 8W SON10
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 940MHz 20.7dB 8W PG-SON-10
型号：
PTFA220081MV4XUMA1
仓库库存编号：
PTFA220081MV4XUMA1TR-ND
别名：PTFA220081M V4
PTFA220081M V4-ND
PTFA220081MV4XTMA1
SP000707920
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 120A 520W TO274AA
详细描述：IGBT 1200V 120A 520W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG7PSH54K10DPBF
仓库库存编号：
IRG7PSH54K10DPBF-ND
别名：SP001545858
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
POWER DRIVER MOD 600V 8A LFRAME
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 8A
型号：
IRAM538-0865A
仓库库存编号：
IRAM538-0865A-ND
别名：SP001533500
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
POWER DRIVER MOD 600V 10A LFRAME
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 10A
型号：
IRAM538-1065A
仓库库存编号：
IRAM538-1065A-ND
别名：SP001544404
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 46A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 46A（Tc） 417W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW47N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW47N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000065376
SPW47N60CFD
SPW47N60CFD-ND
SPW47N60CFDIN
SPW47N60CFDIN-ND
SPW47N60CFDX
SPW47N60CFDXK
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 320mA 960MHz 19.1dB 4W TO-270 WB-4 Gull
型号：
MRF8P9040GNR1
仓库库存编号：
MRF8P9040GNR1-ND
别名：935321848528
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
IC MOD PWR HYBRID 600V 15A
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 15A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
型号：
IRAM256-1567A2
仓库库存编号：
IRAM256-1567A2-ND
别名：SP001538564
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
IC MOD PWR HYBRID 600V 8A
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 10A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
型号：
IRAM256-1067A2
仓库库存编号：
IRAM256-1067A2-ND
别名：SP001533504
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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Infineon Technologies
IC MOD PWR HYBRID 600V 8A
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 20A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
型号：
IRAM256-2067A
仓库库存编号：
IRAM256-2067A-ND
别名：SP001547514
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Infineon Technologies
IC MOD PWR HYBRID 600V 8A
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 20A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
型号：
IRAM256-2067A2
仓库库存编号：
IRAM256-2067A2-ND
别名：SP001539724
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 400mA 2.03GHz 16dB 20W NI-780S-4
型号：
MRF8P20100HSR3
仓库库存编号：
MRF8P20100HSR3-ND
别名：935310291128
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 850mA 2.17GHz 17.6dB 28W NI-780S
型号：
MRF8S21120HSR3
仓库库存编号：
MRF8S21120HSR3-ND
别名：935314227128
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 350mA 860MHz 22dB 18W TO-272 WB-4
型号：
MRF6VP3091NBR1
仓库库存编号：
MRF6VP3091NBR1-ND
别名：935319809528
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 17.8dB 24W OM-780G-4L
型号：
AFT20P140-4WGNR3
仓库库存编号：
AFT20P140-4WGNR3-ND
别名：935320319528
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 100mA 2.69GHz 14.2dB 9W NI-780GS
型号：
AFT26HW050GSR3
仓库库存编号：
AFT26HW050GSR3-ND
别名：935323329128
产品分类：分立半导体产品,规格：零件状态 不可用于新设计,
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 100mA 2.69GHz 14.2dB 9W NI-780-4S4
型号：
AFT26HW050SR3
仓库库存编号：
AFT26HW050SR3-ND
别名：935311158128
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