产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
详细描述:标准 通孔 二极管 1A DO-41
型号:
1N4936 TR
仓库库存编号:
1N4936 CT-ND
别名:1N4936 CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号:
VS-1N1201A
仓库库存编号:
VS-1N1201AGI-ND
别名:*1N1201A
1N1201A
1N1201A-ND
VS-1N1201A-ND
VS-1N1201AGI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号:
VS-1N1203A
仓库库存编号:
VS-1N1203AGI-ND
别名:*1N1203A
1N1203A
1N1203A-ND
VS-1N1203A-ND
VS-1N1203AGI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号:
1N2130AR
仓库库存编号:
1242-1041-ND
别名:1242-1041
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A D-5A
型号:
1N5616US
仓库库存编号:
1N5616US-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 600V 60A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号:
1N2138AR
仓库库存编号:
1242-1072-ND
别名:1242-1072
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1A
型号:
JAN1N5620
仓库库存编号:
1086-2111-ND
别名:1086-2111
1086-2111-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GENERAL PURPOSE 800V 1A
详细描述:标准 通孔 二极管 1A
型号:
JANTXV1N5620
仓库库存编号:
1086-2832-ND
别名:1086-2832
1086-2832-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1A
型号:
1N5614
仓库库存编号:
1N5614-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1A
型号:
1N5616
仓库库存编号:
1N5616-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1A
型号:
1N5618
仓库库存编号:
1N5618-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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Aeroflex Metelics, Division of MACOM
DIODE SW 75V 200MA DO35
详细描述:标准 通孔 二极管 200mA(DC) DO-35
型号:
JANTXV1N4148-1
仓库库存编号:
1657-1182-ND
别名:1657-1182
1657-1182-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A D-5A
型号:
1N5618US
仓库库存编号:
1N5618US-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
详细描述:标准 通孔 二极管 150mA DO-35
型号:
1N4148 TR
仓库库存编号:
1N4148 CT-ND
别名:1N4148 CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Comchip Technology
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
详细描述:标准 通孔 二极管 150mA DO-35
型号:
1N4148-G
仓库库存编号:
641-1313-1-ND
别名:641-1313-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34
详细描述:标准 表面贴装 二极管 200mA SOD-80
型号:
BAV102
仓库库存编号:
BAV102FSCT-ND
别名:BAV102FSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
详细描述:标准 通孔 二极管 200mA DO-35
型号:
1N4150 TR
仓库库存编号:
1N4150 CT-ND
别名:1N4150 CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号:
1N1206AR
仓库库存编号:
1242-1012-ND
别名:1242-1012
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A D-5A
型号:
JANTX1N5614US
仓库库存编号:
1086-1041-ND
别名:1086-1041
1086-1041-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 300A DO205AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 300A DO-205AB,DO-9
型号:
VS-300U40A
仓库库存编号:
300U40A-ND
别名:*300U40A
300U40A
VS-300U40A-ND
VS300U40A
VS300U40A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN REV 600V 300A DO205AB
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 300A DO-205AB,DO-9
型号:
VS-300UR60A
仓库库存编号:
300UR60A-ND
别名:*300UR60A
300UR60A
VS-300UR60A-ND
VS300UR60A
VS300UR60A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号:
VS-1N1200RA
仓库库存编号:
VS-1N1200RAGI-ND
别名:*1N1200RA
1N1200RA
1N1200RA-ND
VS-1N1200RA-ND
VS-1N1200RAGI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号:
VS-1N1206A
仓库库存编号:
VS-1N1206A-ND
别名:*1N1206A
1N1206A
1N1206A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号:
VS-1N3673A
仓库库存编号:
VS-1N3673A-ND
别名:*1N3673A
1N3673A
1N3673A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A D-5A
型号:
1N5614US
仓库库存编号:
1N5614US-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
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