产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(307)
二极管 - 整流器 - 阵列
(12)
二极管 - 整流器 - 单
(295)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp (15)
Comchip Technology (1)
Diodes Incorporated (1)
GeneSiC Semiconductor (44)
Aeroflex Metelics, Division of MACOM (1)
Microsemi Corporation (75)
Fairchild/ON Semiconductor (6)
Powerex Inc. (76)
Rohm Semiconductor (6)
STMicroelectronics (3)
Taiwan Semiconductor Corporation (4)
TT Electronics/Optek Technology (5)
Vishay Semiconductor Diodes Division (69)
Vishay Semiconductor Opto Division (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA(DO-4)
型号:
VS-1N3624
仓库库存编号:
VS-1N3624-ND
别名:VS1N3624
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA(DO-4)
型号:
VS-1N3624R
仓库库存编号:
VS-1N3624R-ND
别名:VS1N3624R
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35
详细描述:标准 通孔 二极管 200mA DO-35
型号:
1N482B
仓库库存编号:
1N482B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
详细描述:标准 通孔 二极管 200mA DO-35
型号:
1N484B
仓库库存编号:
1N484B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-5
型号:
1N1202AR
仓库库存编号:
1N1202ARGN-ND
别名:1N1202ARGN
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 40A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号:
VS-1N1185A
仓库库存编号:
VS-1N1185A-ND
别名:*1N1185A
1N1185A
1N1185A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号:
VS-1N3670A
仓库库存编号:
VS-1N3670A-ND
别名:*1N3670A
1N3670A
1N3670A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号:
VS-1N1188RA
仓库库存编号:
VS-1N1188RA-ND
别名:*1N1188RA
1N1188RA
1N1188RA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-5
型号:
1N1184AR
仓库库存编号:
1N1184ARGN-ND
别名:1N1184ARGN
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号:
1N1206A
仓库库存编号:
1242-1079-ND
别名:1242-1079
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 900V 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号:
VS-1N3672A
仓库库存编号:
VS-1N3672A-ND
别名:*1N3672A
1N3672A
1N3672A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号:
VS-1N3671A
仓库库存编号:
VS-1N3671A-ND
别名:*1N3671A
1N3671A
1N3671A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号:
VS-1N3671RA
仓库库存编号:
VS-1N3671RA-ND
别名:*1N3671RA
1N3671RA
1N3671RA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号:
VS-1N3673RA
仓库库存编号:
1N3673RA-ND
别名:*1N3673RA
1N3673RA
VS-1N3673RA-ND
VS1N3673RA
VS1N3673RA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-5
型号:
1N1188AR
仓库库存编号:
1N1188ARGN-ND
别名:1N1188ARGN
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号:
1N1202A
仓库库存编号:
1242-1042-ND
别名:1242-1042
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号:
1N3671AR
仓库库存编号:
1242-1036-ND
别名:1242-1036
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号:
1N3673A
仓库库存编号:
1242-1109-ND
别名:1242-1109
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 150V 60A DO5
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号:
1N2130A
仓库库存编号:
1242-1093-ND
别名:1242-1093
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号:
1N3671A
仓库库存编号:
1N3671AGN-ND
别名:1N3671AGN
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号:
1N2129AR
仓库库存编号:
1N2129ARGN-ND
别名:1N2129ARGN
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 500V 40A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号:
VS-1N1189A
仓库库存编号:
VS-1N1189A-ND
别名:*1N1189A
1N1189A
1N1189A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 60A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-203AB
型号:
VS-1N2128RA
仓库库存编号:
VS-1N2128RA-ND
别名:*1N2128RA
1N2128RA
1N2128RA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 500V 40A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号:
VS-1N1189RA
仓库库存编号:
VS-1N1189RA-ND
别名:*1N1189RA
1N1189RA
1N1189RA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A D-5A
型号:
1N5622US
仓库库存编号:
1N5622US-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号