产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
型号:
DTA123EUAT106
仓库库存编号:
DTA123EUAT106CT-ND
别名:DTA123EUAT106CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
BCR112E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR112E6327HTSA1CT-ND
别名:BCR 112 E6327CT
BCR 112 E6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
型号:
DTA114EUBTL
仓库库存编号:
DTA114EUBTLCT-ND
别名:DTA114EUBTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
型号:
DTA114EMT2L
仓库库存编号:
DTA114EMT2LCT-ND
别名:DTA114EMT2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
型号:
DTA123EMT2L
仓库库存编号:
DTA123EMT2LCT-ND
别名:DTA123EMT2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
型号:
UMB11NTN
仓库库存编号:
UMB11NTNCT-ND
别名:UMB11NTNCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
型号:
UMA9NTR
仓库库存编号:
UMA9NCT-ND
别名:UMA9NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
型号:
DTA114EEBTL
仓库库存编号:
DTA114EEBTLCT-ND
别名:DTA114EEBTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
型号:
DTA114EEFRATL
仓库库存编号:
DTA114EEFRATL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号:
EMB11T2R
仓库库存编号:
EMB11T2RCT-ND
别名:EMB11T2RCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR162E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR162E6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 162 E6327
BCR 162 E6327-ND
BCR162E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR162E6327XT
SP000010785
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR112WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR112WH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 112W H6327
BCR 112W H6327-ND
SP000750790
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 112F E6327
仓库库存编号:
BCR 112F E6327-ND
别名:BCR112FE6327XT
SP000014062
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 112L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 112L3 E6327-ND
别名:BCR112L3E6327XT
SP000014852
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 112T E6327
仓库库存编号:
BCR 112T E6327-ND
别名:BCR112TE6327XT
SP000014126
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR112WE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR112WE6327BTSA1TR-ND
别名:BCR 112W E6327
BCR 112W E6327-ND
BCR112WE6327
BCR112WE6327XT
SP000010748
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR 162 B6327
仓库库存编号:
BCR 162 B6327-ND
别名:BCR162B6327XT
SP000056352
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 162F E6327
仓库库存编号:
BCR 162F E6327-ND
别名:BCR162FE6327XT
SP000014445
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 162L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 162L3 E6327-ND
别名:BCR162L3E6327XT
SP000014868
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
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TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 162T E6327
仓库库存编号:
BCR 162T E6327-ND
别名:BCR162TE6327XT
SP000012545
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V,
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