产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 300V 0.05A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BF420,112
仓库库存编号：
BF420,112-ND
别名：933419650112
BF420
BF420-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 300V 0.05A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BF420,116
仓库库存编号：
BF420,116-ND
别名：933419650116
BF420 T/R
BF420 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 300V 0.05A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BF421,112
仓库库存编号：
BF421,112-ND
别名：933419660112
BF421
BF421-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 250V 0.05A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BF422,116
仓库库存编号：
BF422,116-ND
别名：933259350116
BF422 T/R
BF422 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 250V 0.05A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BF423,112
仓库库存编号：
BF423,112-ND
别名：933259360112
BF423
BF423-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 250V 0.05A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BF423,116
仓库库存编号：
BF423,116-ND
别名：933259360116
BF423 T/R
BF423 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 40V 1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 150MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS4140S,126
仓库库存编号：
PBSS4140S,126-ND
别名：934056903126
PBSS4140S AMO
PBSS4140S AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 40V 1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 1A 150MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS5140S,126
仓库库存编号：
PBSS5140S,126-ND
别名：934056904126
PBSS5140S AMO
PBSS5140S AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 3A TO92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS4350S,126
仓库库存编号：
PBSS4350S,126-ND
别名：934056901126
PBSS4350S AMO
PBSS4350S AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 50V 3A TO92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS5350S,126
仓库库存编号：
PBSS5350S,126-ND
别名：934056902126
PBSS5350S AMO
PBSS5350S AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 100V 1A TO92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS8110AS,126
仓库库存编号：
PBSS8110AS,126-ND
别名：934057764126
PBSS8110AS AMO
PBSS8110AS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 100V 1A TO92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS8110S,126
仓库库存编号：
PBSS8110S,126-ND
别名：934057671126
PBSS8110S AMO
PBSS8110S AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 100V 1A TO92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS9110AS,126
仓库库存编号：
PBSS9110AS,126-ND
别名：934057765126
PBSS9110AS AMO
PBSS9110AS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 100V 1A TO92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS9110S,126
仓库库存编号：
PBSS9110S,126-ND
别名：934057673126
PBSS9110S AMO
PBSS9110S AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC879,112
仓库库存编号：
BC879,112-ND
别名：933467630112
BC879
BC879-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 20V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 170MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC368,126
仓库库存编号：
BC368,126-ND
别名：933259240126
BC368 AMO
BC368 AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 45V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 1A 180MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC635,116
仓库库存编号：
BC635,116-ND
别名：933221920116
BC635 T/R
BC635 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 45V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 1A 180MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC635-16,126
仓库库存编号：
BC635-16,126-ND
别名：933620710126
BC635-16 AMO
BC635-16 AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 45V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 1A 145MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC636,116
仓库库存编号：
BC636,116-ND
别名：933221950116
BC636 T/R
BC636 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 60V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC638,126
仓库库存编号：
BC638,126-ND
别名：933221960126
BC638 AMO
BC638 AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
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TRANS PNP 60V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC638,116
仓库库存编号：
BC638,116-ND
别名：933221960116
BC638 T/R
BC638 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 80V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 180MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC639,126
仓库库存编号：
BC639,126-ND
别名：933221940126
BC639 AMO
BC639 AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 80V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 180MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC639,116
仓库库存编号：
BC639,116-ND
别名：933221940116
BC639 T/R
BC639 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 80V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 145MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC640,126
仓库库存编号：
BC640,126-ND
别名：933221970126
BC640 AMO
BC640 AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
无铅
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TRANS PNP 80V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 145MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC640,116
仓库库存编号：
BC640,116-ND
别名：933221970116
BC640 T/R
BC640 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,品牌：NXP USA Inc.,规格：Power - Max 830mW,
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