产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
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Texas Instruments
TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SOIC
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 100V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
SN75469DR
仓库库存编号：
296-36726-1-ND
别名：296-36726-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1W Through Hole 18-DIP
型号：
ULQ2802A
仓库库存编号：
497-6789-5-ND
别名：497-6789-5
ULQ2802A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Texas Instruments
TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 100V 500mA Through Hole 16-PDIP
型号：
SN75468NG4
仓库库存编号：
SN75468NG4-ND
别名：SN75468NE4
SN75468NE4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
MC1413BDR2
仓库库存编号：
MC1413BDR2OSCT-ND
别名：MC1413BDR2OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
MC1413DR2
仓库库存编号：
MC1413DR2OSCT-ND
别名：MC1413DR2OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
含铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
E-ULN2001A
仓库库存编号：
497-4606-5-ND
别名：497-4606-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
E-ULN2004A
仓库库存编号：
497-4608-5-ND
别名：497-4608-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA
型号：
E-ULQ2003A
仓库库存编号：
497-4609-5-ND
别名：497-4609-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号：
E-ULQ2003D1
仓库库存编号：
497-4610-5-ND
别名：497-4610-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2803APG,CN
仓库库存编号：
ULN2803APGCN-ND
别名：ULN2803APG
ULN2803APG(5,M)
ULN2803APG(CNHZN)
ULN2803APG(CNHZN)-ND
ULN2803APG(O,M)
ULN2803APG(O,N,HZA
ULN2803APG(O,N,HZN
ULN2803APG(OM)
ULN2803APG(OM)-ND
ULN2803APG(ONHZA
ULN2803APG(ONHZA-ND
ULN2803APG(ONHZN
ULN2803APG(ONHZN-ND
ULN2803APG-ND
ULN2803APGCN
ULN2803APGONHZN
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Texas Instruments
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-PDIP
型号：
ULN2803AN
仓库库存编号：
296-19046-5-ND
别名：296-19046-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号：
ULQ2001D1013TR
仓库库存编号：
497-4989-1-ND
别名：497-4989-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2805A
仓库库存编号：
ULN2805A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Texas Instruments
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-PDIP
型号：
ULN2803ANG4
仓库库存编号：
296-36074-5-ND
别名：296-36074-5
ULN2803ANE4
ULN2803ANE4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2003J
仓库库存编号：
SG2003J-ND
别名：1259-1080
1259-1080-MIL
1259-1080-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2003J-883B
仓库库存编号：
1259-1081-ND
别名：1259-1081
1259-1081-MIL
Q10386303
SG2003J883B
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2003J-JAN
仓库库存编号：
1259-1082-ND
别名：1259-1082
1259-1082-MIL
M38510/14103BEA
Q9387418
SG2003JJAN
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2023J-DESC
仓库库存编号：
1259-1083-ND
别名：1259-1083
1259-1083-MIL
5962-8987601EA
SG2023JDESC
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2803J-883B
仓库库存编号：
1259-1084-ND
别名：1259-1084
1259-1084-MIL
Q10610783
Q10991540
SG2803J883B
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2803J-DESC
仓库库存编号：
1259-1085-ND
别名：1259-1085
1259-1085-MIL
5962-8605801VA
Q10830625
SG2803JDESC
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2823J
仓库库存编号：
SG2823J-ND
别名：1259-1086
1259-1086-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2823J-883B
仓库库存编号：
1259-1087-ND
别名：1259-1087
1259-1087-MIL
SG2823J883B
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2823J-DESC
仓库库存编号：
1259-1088-ND
别名：1259-1088
1259-1088-MIL
5962-8968501VA
SG2823JDESC
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16JDIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2023J-883B
仓库库存编号：
1259-1109-ND
别名：1259-1109
1259-1109-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
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