产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR583E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR583E6327HTSA1CT-ND
别名:BCR 583 E6327CT
BCR 583 E6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.33W SC74
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6
型号:
BCR523UE6433HTMA1
仓库库存编号:
BCR523UE6433HTMA1TR-ND
别名:BCR 523U E6433
BCR 523U E6433-ND
SP000662374
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.33W SC74
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6
型号:
BCR523UE6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR523UE6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 523U E6327
BCR 523U E6327-ND
BCR523UE6327XT
SP000013381
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
DDTB122LC-7
仓库库存编号:
DDTB122LCDICT-ND
别名:DDTB122LC7
DDTB122LCDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
DDTB142JC-7
仓库库存编号:
DDTB142JCDICT-ND
别名:DDTB142JC7
DDTB142JCDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
DDTD122LC-7
仓库库存编号:
DDTD122LCDICT-ND
别名:DDTD122LC7
DDTD122LCDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
DDTD142JC-7
仓库库存编号:
DDTD142JCDICT-ND
别名:DDTD142JC7
DDTD142JCDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
含铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号:
DTB113ZSTP
仓库库存编号:
DTB113ZSTP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号:
DTB123ESTP
仓库库存编号:
DTB123ESTP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号:
DTB143ESTP
仓库库存编号:
DTB143ESTP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号:
DTD114ESTP
仓库库存编号:
DTD114ESTP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
型号:
DTD133HKT146
仓库库存编号:
DTD133HKT146-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号:
DTD123TSTP
仓库库存编号:
DTD123TSTP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号:
DTB113ESTP
仓库库存编号:
DTB113ESTPTB-ND
别名:DTB113ESTP-ND
DTB113ESTPTB
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号:
DTB113ESTP
仓库库存编号:
DTB113ESTPCT-ND
别名:DTB113ESTPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB113ES,126
仓库库存编号:
PDTB113ES,126-ND
别名:934059144126
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB113ZS,126
仓库库存编号:
PDTB113ZS,126-ND
别名:934059146126
PDTB113ZS AMO
PDTB113ZS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123ES,126
仓库库存编号:
PDTB123ES,126-ND
别名:934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTB123TK,115
仓库库存编号:
PDTB123TK,115-ND
别名:934059205115
PDTB123TK T/R
PDTB123TK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123TS,126
仓库库存编号:
PDTB123TS,126-ND
别名:934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123YS,126
仓库库存编号:
PDTB123YS,126-ND
别名:934059148126
PDTB123YS AMO
PDTB123YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD113ES,126
仓库库存编号:
PDTD113ES,126-ND
别名:934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD113ZS,126
仓库库存编号:
PDTD113ZS,126-ND
别名:934059145126
PDTD113ZS AMO
PDTD113ZS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123ES,126
仓库库存编号:
PDTD123ES,126-ND
别名:934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTD123TK,115
仓库库存编号:
PDTD123TK,115-ND
别名:934059204115
PDTD123TK T/R
PDTD123TK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
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