产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 10dB 450mW PLD-1.5
型号:
MRFG35003N6AT1
仓库库存编号:
MRFG35003N6AT1-ND
别名:935309639515
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 10DB SOT467C
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 180mA 2GHz 10dB 30W SOT467C
型号:
BLF2045,112
仓库库存编号:
568-2387-ND
别名:568-2387
934055383112
BLF2045
BLF2045-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 12V 180mA 3.55GHz 10dB 9W PLD-1.5
型号:
MRFG35010NR5
仓库库存编号:
MRFG35010NR5CT-ND
别名:MRFG35010NR5CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 9dB 3W PLD-1.5
型号:
MRFG35003M6R5
仓库库存编号:
MRFG35003M6R5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 9dB 3W PLD-1.5
型号:
MRFG35003M6T1
仓库库存编号:
MRFG35003M6T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
含铅
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NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 9dB 3W PLD-1.5
型号:
MRFG35003N6T1
仓库库存编号:
MRFG35003N6T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 12V 180mA 3.55GHz 10dB 9W PLD-1.5
型号:
MRFG35010MT1
仓库库存编号:
MRFG35010MT1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
含铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 960MHz 16dB 10W PG-RFP-10
型号:
PTF080101M V1
仓库库存编号:
PTF080101M V1-ND
别名:PTF080101MV1XT
SP000082763
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 1.99GHz 16.5dB 10W PG-RFP-10
型号:
PTF180101M V1
仓库库存编号:
PTF180101M V1-ND
别名:PTF180101MV1XT
SP000076951
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 1.99GHz 19dB 10W H-32259-2
型号:
PTF180101S V1
仓库库存编号:
PTF180101S V1-ND
别名:F180101SV1XT
PTF180101SV1XT
SP000009989
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 2.17GHz 15dB 10W PG-RFP-10
型号:
PTF210101M V1
仓库库存编号:
PTF210101M V1-ND
别名:PTF210101MV1XT
SP000076952
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 2.68GHz 16dB 10W H-32259-2
型号:
PTF240101S V1
仓库库存编号:
PTF240101S V1-ND
别名:F240101SV1XT
PTF240101SV1XT
SP000082764
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 12V 180mA 3.55GHz 10dB 10W NI-360HF
型号:
MRFG35010R5
仓库库存编号:
MRFG35010R5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 测试 180mA,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 12V 180mA 3.55GHz 10dB 10W NI-360HF
型号:
MRFG35010R1
仓库库存编号:
MRFG35010R1-ND
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