产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTC123JE,115
仓库库存编号:
568-11247-6-ND
别名:568-11247-6
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA123EK,115
仓库库存编号:
PDTA123EK,115-ND
别名:934057546115
PDTA123EK T/R
PDTA123EK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTA123JE,115
仓库库存编号:
PDTA123JE,115-ND
别名:934051580115
PDTA123JE T/R
PDTA123JE T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA123JK,115
仓库库存编号:
PDTA123JK,115-ND
别名:934057547115
PDTA123JK T/R
PDTA123JK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 15V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA323TK,115
仓库库存编号:
PDTA323TK,115-ND
别名:934059207115
PDTA323TK T/R
PDTA323TK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123ES,126
仓库库存编号:
PDTB123ES,126-ND
别名:934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTB123TK,115
仓库库存编号:
PDTB123TK,115-ND
别名:934059205115
PDTB123TK T/R
PDTB123TK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123TS,126
仓库库存编号:
PDTB123TS,126-ND
别名:934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123YS,126
仓库库存编号:
PDTB123YS,126-ND
别名:934059148126
PDTB123YS AMO
PDTB123YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC123EK,115
仓库库存编号:
PDTC123EK,115-ND
别名:934057551115
PDTC123EK T/R
PDTC123EK T/R-ND
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC123JK,115
仓库库存编号:
PDTC123JK,115-ND
别名:934057552115
PDTC123JK T/R
PDTC123JK T/R-ND
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 15V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC323TK,115
仓库库存编号:
PDTC323TK,115-ND
别名:934059206115
PDTC323TK T/R
PDTC323TK T/R-ND
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123ES,126
仓库库存编号:
PDTD123ES,126-ND
别名:934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTD123TK,115
仓库库存编号:
PDTD123TK,115-ND
别名:934059204115
PDTD123TK T/R
PDTD123TK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123TS,126
仓库库存编号:
PDTD123TS,126-ND
别名:934059726126
PDTD123TS AMO
PDTD123TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123YS,126
仓库库存编号:
PDTD123YS,126-ND
别名:934059147126
PDTD123YS AMO
PDTD123YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTD123EK,115
仓库库存编号:
PDTD123EK,115-ND
别名:934058967115
PDTD123EK T/R
PDTD123EK T/R-ND
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTD123YK,115
仓库库存编号:
PDTD123YK,115-ND
别名:934058972115
PDTD123YK T/R
PDTD123YK T/R-ND
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR08PNB6327XT
仓库库存编号:
BCR08PNB6327XTTR-ND
别名:BCR 08PN B6327
BCR 08PN B6327-ND
SP000010726
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 103F E6327
仓库库存编号:
BCR 103F E6327-ND
别名:BCR103FE6327XT
SP000014847
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 103L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 103L3 E6327-ND
别名:BCR103L3E6327XT
SP000014756
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 103T E6327
仓库库存编号:
BCR 103T E6327-ND
别名:BCR103TE6327XT
SP000014757
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR 108 B6327
仓库库存编号:
BCR 108 B6327-ND
别名:BCR108B6327XT
SP000056348
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 108F E6327
仓库库存编号:
BCR 108F E6327-ND
别名:BCR108FE6327XT
SP000013046
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 108L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 108L3 E6327-ND
别名:BCR108L3E6327XT
SP000014758
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