产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN2117(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2117(T5LFT)CT-ND
别名:RN2117(T5LFT)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
型号:
RN1701JE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1701JE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1701JE(TE85LF)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTC143EE,115
仓库库存编号:
568-11058-1-ND
别名:568-11058-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTC143EE,115
仓库库存编号:
568-11058-6-ND
别名:568-11058-6
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4901,LF
仓库库存编号:
RN4901LFCT-ND
别名:RN4901LFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA143EK,115
仓库库存编号:
PDTA143EK,115-ND
别名:934036770115
PDTA143EK T/R
PDTA143EK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC143EK,115
仓库库存编号:
PDTC143EK,115-ND
别名:934036810115
PDTC143EK T/R
PDTC143EK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC143ES,126
仓库库存编号:
PDTC143ES,126-ND
别名:934047420126
PDTC143ES AMO
PDTC143ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 112F E6327
仓库库存编号:
BCR 112F E6327-ND
别名:BCR112FE6327XT
SP000014062
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 112L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 112L3 E6327-ND
别名:BCR112L3E6327XT
SP000014852
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 112T E6327
仓库库存编号:
BCR 112T E6327-ND
别名:BCR112TE6327XT
SP000014126
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR112WE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR112WE6327BTSA1TR-ND
别名:BCR 112W E6327
BCR 112W E6327-ND
BCR112WE6327
BCR112WE6327XT
SP000010748
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR 162 B6327
仓库库存编号:
BCR 162 B6327-ND
别名:BCR162B6327XT
SP000056352
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 162F E6327
仓库库存编号:
BCR 162F E6327-ND
别名:BCR162FE6327XT
SP000014445
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 162L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 162L3 E6327-ND
别名:BCR162L3E6327XT
SP000014868
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 162T E6327
仓库库存编号:
BCR 162T E6327-ND
别名:BCR162TE6327XT
SP000012545
产品分类:分立半导体产品,规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR 512 B6327
仓库库存编号:
BCR 512 B6327-ND
别名:BCR512B6327XT
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