产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(416)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(89)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
(154)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(154)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(19)
筛选品牌
Broadcom Limited (10)
CEL (90)
Central Semiconductor Corp (4)
Diodes Incorporated (135)
Infineon Technologies (12)
Micro Commercial Co (12)
Microsemi Corporation (18)
Nexperia USA Inc. (4)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
ON Semiconductor (12)
Panasonic Electronic Components (7)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (4)
Toshiba Semiconductor and Storage (103)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
型号：
SSM6L35FU(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM6L35FU(TE85LF)CT-ND
别名：SSM6L35FU(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
MMDT5551-7-F
仓库库存编号：
MMDT5551-FDICT-ND
别名：MMDT5551-FDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
MMDT5551-TP
仓库库存编号：
MMDT5551-TPCT-ND
别名：MMDT5551-TPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2965(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2965(TE85LF)CT-ND
别名：RN2965(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2963(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2963(TE85LF)CT-ND
别名：RN2963(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2962(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2962(TE85LF)CT-ND
别名：RN2962(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2961(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2961(TE85LF)CT-ND
别名：RN2961(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1961(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1961(TE85LF)CT-ND
别名：RN1961(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANSISTOR NPN US6
详细描述：RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN3C10FUTE85LF
仓库库存编号：
HN3C10FUTE85LFCT-ND
别名：HN3C10FUTE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
CEL
RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363
详细描述：RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 100mA 4.5GHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
UPA801T-T1-A
仓库库存编号：
UPA801T-T1-ACT-ND
别名：UPA801T-T1-ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 200mW Surface Mount SC-70-6
型号：
2N7002DW
仓库库存编号：
2N7002DWCT-ND
别名：2N7002DWCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-666
型号：
BC857BV,115
仓库库存编号：
1727-1567-1-ND
别名：1727-1567-1
568-11094-1
568-11094-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
2N7002DW-TP
仓库库存编号：
2N7002DW-TPCT-ND
别名：2N7002DW-TPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
HBDM60V600W-7
仓库库存编号：
HBDM60V600WDICT-ND
别名：HBDM60V600WDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDA124EU-7-F
仓库库存编号：
DDA124EU-FDICT-ND
别名：DDA124EU-FDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDC144NS-7
仓库库存编号：
DDC144NSDICT-ND
别名：DDC144NSDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SC-70-6
型号：
FFB5551
仓库库存编号：
FFB5551CT-ND
别名：FFB5551CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DCX114EU-13R-F
仓库库存编号：
DCX114EU-13R-FDI-ND
别名：DCX114EU-13R-FDI
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
BC857BS-13-F
仓库库存编号：
BC857BS-13-FDI-ND
别名：BC857BS-13-FDI
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1901,LF(CT
仓库库存编号：
RN1901LF(CTCT-ND
别名：RN1901(T5LFT)CT
RN1901(T5LFT)CT-ND
RN1901LF(CTCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
BC856ASQ-7-F
仓库库存编号：
BC856ASQ-7-F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
搜索
ON Semiconductor
TRANS NPN VHF-UHF HI FREQ CP
详细描述：RF Transistor NPN 8V 50mA 1.5GHz 200mW Surface Mount 3-CP
型号：
15GN01CA-TB-E
仓库库存编号：
15GN01CA-TB-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN1C01FU-GR,LF
仓库库存编号：
HN1C01FU-GRLFCT-ND
别名：HN1C01FU-GRLFCT
HN1C01FUGRLFTCT
HN1C01FUGRLFTCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN1B04FU-GR,LF
仓库库存编号：
HN1B04FU-GRLFCT-ND
别名：HN1B04FU-GR(LFT)CT
HN1B04FU-GR(LFT)CT-ND
HN1B04FU-GRLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS NPN BIPO 70MA 10V CP
详细描述：RF Transistor NPN 10V 70mA 1.5GHz 200mW Surface Mount 3-CP
型号：
15GN03CA-TB-E
仓库库存编号：
15GN03CA-TB-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
搜索
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
