以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6111(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6111(TE85LFM)CT-ND
  别名：TPC6111(TE85LFM)CT
  TPC6111TE85LFCT
  TPC6111TE85LFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP 50V 6VS
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 1A, 700mA 400mW Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
  
  型号：TPC6901(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6901(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6901(TE85L,F)
  TPC6901(TE85L,F)-ND
  TPC6901(TE85LFM)
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 5A VS6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6113(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6113(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6113(TE85LFM)
  TPC6113TE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6110(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6110(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6110(TE85LFM)
  TPC6110TE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6109-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6109-H(TE85LFMCT-ND
  别名：TPC6109-H(TE85LFMCT
  TPC6109-HTE85LFCT
  TPC6109-HTE85LFCT-ND
  TPC6109HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6006-H(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPC6006-H(TE85L,F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6104(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6104(TE85L,F,M)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6107(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6107(TE85L,F,M)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6008-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6008-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6008-H(TE85LFM
  TPC6008HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 5.3A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6009-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6009-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6009-H(TE85LFM
  TPC6009HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.1A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6010-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6010-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6010-H(TE85LFM
  TPC6010HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 6A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6011(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6011(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6011(TE85LFM)
  TPC6011TE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 6A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6012(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6012(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6012(TE85LFM)
  TPC6012TE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）,
• 
  
  无铅
• 搜索