产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
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IXYS
DIODE GEN PURP 600V 30A TO263
详细描述:标准 表面贴装 二极管 30A TO-263
型号:
DSEP29-06AS
仓库库存编号:
DSEP29-06AS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263
型号:
SQM120N03-1M5L_GE3
仓库库存编号:
SQM120N03-1M5L_GE3-ND
别名:SQM120N03-1M5L-GE3
SQM120N03-1M5L-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY GP 200V 15A TO263
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 15A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
型号:
DSEC29-02AS
仓库库存编号:
DSEC29-02AS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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Renesas Electronics America
TRIAC 800V 16A TO263
详细描述:TRIAC Standard 800V Surface Mount TO-263
型号:
BCR16CS-16LBT1#BH0
仓库库存编号:
BCR16CS-16LBT1#BH0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P04PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P04PDG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 600V 30A TO263
详细描述:标准 表面贴装 二极管 30A TO-263
型号:
DSEP29-06AS-TUBE
仓库库存编号:
DSEP29-06AS-TUBE-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY GP 200V 15A TO263
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 15A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
型号:
DSEC29-02AS-TUBE
仓库库存编号:
DSEC29-02AS-TUBE-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
详细描述:IGBT NPT Surface Mount TO-263
型号:
IXDA20N120AS
仓库库存编号:
IXDA20N120AS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-263
型号:
IXFA30N60X
仓库库存编号:
IXFA30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
详细描述:IGBT NPT Surface Mount TO-263
型号:
IXDA20N120AS-TUBE
仓库库存编号:
IXDA20N120AS-TUBE-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1500V 3A(Tc) 250W(Tc) TO-263
型号:
IXTA3N150HV
仓库库存编号:
IXTA3N150HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1700V 1A(Tc) 290W(Tc) TO-263
型号:
IXTA1N170DHV
仓库库存编号:
IXTA1N170DHV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
详细描述:IGBT 3000V 34A 180W Surface Mount TO-263
型号:
IXBH10N300HV
仓库库存编号:
IXBH10N300HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 10A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
型号:
FFB20UP20DN
仓库库存编号:
FFB20UP20DNCT-ND
别名:FFB20UP20DNCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXTI12N50P
仓库库存编号:
IXTI12N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXTI10N60P
仓库库存编号:
IXTI10N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 600V 30A TO263
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 30A TO-263
型号:
DSEP29-06BS
仓库库存编号:
DSEP29-06BS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXFI7N80P
仓库库存编号:
IXFI7N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P06PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P06PDG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P06PLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P06PLG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Ta) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263
型号:
NP109N055PUJ-E1B-AY
仓库库存编号:
NP109N055PUJ-E1B-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N03PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N03PUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N04PUG-E1-AY
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 36A(Tc) 1.8W(Ta),56W(Tc) TO-263
型号:
NP36P04KDG-E1-AY
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NP36P04KDG-E1-AY-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 48A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 48A(Tc) 1.8W(Ta),85W(Tc) TO-263
型号:
NP48N055KLE-E1-AY
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NP48N055KLE-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-263,
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