产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(258)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(161)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
(97)
筛选品牌
IXYS (256)
Rohm Semiconductor (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
IGBT 1200V 70A 300W TO268
详细描述:IGBT PT 1200V 70A 300W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT35N120B
仓库库存编号:
IXGT35N120B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N10Q
仓库库存编号:
IXFT80N10Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT80N20L
仓库库存编号:
IXTT80N20L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 26A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N60Q
仓库库存编号:
IXFT26N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1700V 24A 250W TO268
详细描述:IGBT NPT 1700V 24A 250W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT24N170A
仓库库存编号:
IXGT24N170A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT12N90Q
仓库库存编号:
IXFT12N90Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N20Q
仓库库存编号:
IXFT80N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 44A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT44N50Q3
仓库库存编号:
IXFT44N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 18A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT18N100Q3
仓库库存编号:
IXFT18N100Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 16A(Tc) 660W(Tc) TO-268
型号:
IXFT16N120P
仓库库存编号:
IXFT16N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 52A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT52N30Q
仓库库存编号:
IXFT52N30Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT10P50
仓库库存编号:
IXTT10P50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 75A 380W TO268
详细描述:IGBT PT 1200V 75A 380W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT40N120B2D1
仓库库存编号:
IXGT40N120B2D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT12N100
仓库库存编号:
IXFT12N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 2500V 5A 32W TO268
详细描述:IGBT 2500V 5A 32W Surface Mount TO-268
型号:
IXBT2N250
仓库库存编号:
IXBT2N250-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 20A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N80Q
仓库库存编号:
IXFT20N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1700V 16A 190W TO268
详细描述:IGBT NPT 1700V 16A 190W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT16N170AH1
仓库库存编号:
IXGT16N170AH1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 40A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXFT40N50Q
仓库库存编号:
IXFT40N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 70A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 70A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT70N30Q3
仓库库存编号:
IXFT70N30Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1700V 24A 250W TO268
详细描述:IGBT NPT 1700V 24A 250W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT24N170AH1
仓库库存编号:
IXGT24N170AH1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT14N100
仓库库存编号:
IXFT14N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1700V 32A 350W TO268
详细描述:IGBT NPT 1700V 32A 350W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT32N170A
仓库库存编号:
IXGT32N170A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 23A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXFT23N80Q
仓库库存编号:
IXFT23N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXFT7N90Q
仓库库存编号:
IXFT7N90Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 600V 68A(Tc) TO-268
型号:
IXKT70N60C5
仓库库存编号:
IXKT70N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-268,
无铅
搜索
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号