产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC100N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC100N03MSGINCT
BSC100N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC080N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC080N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC080N03LSGINCT
BSC080N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），78A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0904NSI
仓库库存编号：
BSC0904NSICT-ND
别名：BSC0904NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC042N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC042N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03LSGINCT
BSC042N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC024NE2LS
仓库库存编号：
BSC024NE2LSCT-ND
别名：BSC024NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC22DN20NS3 G
仓库库存编号：
BSC22DN20NS3 GCT-ND
别名：BSC22DN20NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC265N10LSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC265N10LSFGATMA1CT-ND
别名：BSC265N10LSFGATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.8W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC046N02KS G
仓库库存编号：
BSC046N02KS GCT-ND
别名：BSC046N02KS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC12DN20NS3 G
仓库库存编号：
BSC12DN20NS3GCT-ND
别名：BSC12DN20NS3GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014NE2LSI
仓库库存编号：
BSC014NE2LSICT-ND
别名：BSC014NE2LSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC026N02KS G
仓库库存编号：
BSC026N02KS GCT-ND
别名：BSC026N02KS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC020N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC020N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC16DN25NS3 G
仓库库存编号：
BSC16DN25NS3GCT-ND
别名：BSC16DN25NS3GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），39A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC120N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC120N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC120N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03LSGINCT
BSC120N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC090N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC090N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC090N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03MSGINCT
BSC090N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC090N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC090N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC090N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03LSGINCT
BSC090N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03MSGINCT
BSC050N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC084P03NS3 G
仓库库存编号：
BSC084P03NS3 GCT-ND
别名：BSC084P03NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC252N10NSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC252N10NSFGATMA1CT-ND
别名：BSC252N10NSF GCT
BSC252N10NSF GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014N03MS G
仓库库存编号：
BSC014N03MS GCT-ND
别名：BSC014N03MS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC017N04NS G
仓库库存编号：
BSC017N04NS GCT-ND
别名：BSC017N04NS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC080N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC080N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC080N03MSGINCT
BSC080N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），71A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC057N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC057N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC057N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC057N03MSGINCT
BSC057N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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