产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0501NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0501NSIATMA1-ND
别名:SP001288140
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 33A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC015NE2LS5IATMA1
仓库库存编号:
BSC015NE2LS5IATMA1-ND
别名:SP001288138
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC020N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 27A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC019N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC019N04LSATMA1-ND
别名:SP001067012
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 82A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC061N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC061N08NS5ATMA1-ND
别名:SP001232634
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0500NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0500NSIATMA1-ND
别名:SP001288136
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC027N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001385616
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 30A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC019N02KSGAUMA1
仓库库存编号:
BSC019N02KSGAUMA1TR-ND
别名:BSC019N02KS G
BSC019N02KS G-ND
SP000307376
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC159N10LSF G
仓库库存编号:
BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
别名:BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC022N03SG
仓库库存编号:
BSC022N03SGINCT-ND
别名:BSC022N03SGINCT
BSC022N03SGXTINCT
BSC022N03SGXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N03SG
仓库库存编号:
BSC032N03SGINCT-ND
别名:BSC032N03SGINCT
BSC032N03SGXTINCT
BSC032N03SGXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),50A(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03ST
仓库库存编号:
BSC042N03ST-ND
别名:SP000014715
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC022N03S
仓库库存编号:
BSC022N03S-ND
别名:BSC022N03ST
SP000014713
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 27A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC024N025S G
仓库库存编号:
BSC024N025S G-ND
别名:BSC024N025SGXT
SP000095464
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N03S G
仓库库存编号:
BSC027N03S G-ND
别名:BSC027N03SGXT
SP000095462
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N03S
仓库库存编号:
BSC032N03S-ND
别名:BSC032N03ST
SP000014714
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 21A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC037N025S G
仓库库存编号:
BSC037N025S G-ND
别名:BSC037N025SGXT
SP000095466
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),80A(Tc) 2.8W(Ta),54W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03S G
仓库库存编号:
BSC052N03S G-ND
别名:BSC052N03SGXT
SP000056192
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 15A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC072N025S G
仓库库存编号:
BSC072N025S G-ND
别名:BSC072N025SGXT
SP000095468
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 14A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC085N025S G
仓库库存编号:
BSC085N025S G-ND
别名:BSC085N025SGXT
SP000095469
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.6A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC094N03S G
仓库库存编号:
BSC094N03S G-ND
别名:BSC094N03SGXT
SP000016415
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 13A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC106N025S G
仓库库存编号:
BSC106N025S G-ND
别名:BSC106N025SGXT
SP000095470
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N025S G
仓库库存编号:
BSC020N025SGINCT-ND
别名:BSC020N025SG
BSC020N025SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 24A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC029N025S G
仓库库存编号:
BSC029N025SGINCT-ND
别名:BSC029N025SG
BSC029N025SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),89A(Tc) 2.8W(Ta),63W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC048N025S G
仓库库存编号:
BSC048N025SGINCT-ND
别名:BSC048N025SG
BSC048N025SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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