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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.5A（Ta），73A（Tc） 17.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC059N03S G
  仓库库存编号：BSC059N03SGINCT-ND
  别名：BSC059N03SG
  BSC059N03SGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.9A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），43W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC119N03S G
  仓库库存编号：BSC119N03SGINCT-ND
  别名：BSC119N03SG
  BSC119N03SGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），95A（Tc） 2.8W（Ta），62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03S G
  仓库库存编号：BSC042N03SGINCT-ND
  别名：BSC042N03SG
  BSC042N03SGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N03LSGINCT
  BSC100N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC152N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
  别名：BSC152N10NSF G
  BSC152N10NSF G-ND
  SP000379601
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.9A（Ta），12.5A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC200P03LSGAUMA1
  仓库库存编号：BSC200P03LSGAUMA1CT-ND
  别名：BSC200P03LS GINCT
  BSC200P03LS GINCT-ND
  BSC200P03LSG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 14A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0908NSATMA1
  仓库库存编号：BSC0908NSATMA1CT-ND
  别名：BSC0908NSCT
  BSC0908NSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.4A（Ta），45A（Tc） 76W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC205N10LS G
  仓库库存编号：BSC205N10LS GCT-ND
  别名：BSC205N10LS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC240N12NS3 G
  仓库库存编号：BSC240N12NS3 GCT-ND
  别名：BSC240N12NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC882N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC882N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC882N03MS GCT
  BSC882N03MS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 19A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC883N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC883N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC883N03MS GCT
  BSC883N03MS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 17A（Ta），85A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC884N03MS G
  仓库库存编号：BSC884N03MS GCT-ND
  别名：BSC884N03MS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC889N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC889N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC889N03LS GCT
  BSC889N03LS GCT-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 44A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC889N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC889N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC889N03MS GCT
  BSC889N03MS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSZ023N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSZ023N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSZ023N04LS-ND
  BSZ023N04LSCT
  BSZ023N04LSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TDSON-8,
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