产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD09P06PL
仓库库存编号:
SPD09P06PLINCT-ND
别名:SPD09P06PLINCT
SPD09P06PLXTINCT
SPD09P06PLXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-07
仓库库存编号:
SPD30N03S2L07INCT-ND
别名:SPD30N03S2L07
SPD30N03S2L07INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10INCT-ND
别名:SPD30N03S2L10
SPD30N03S2L10INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-20
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20INTR-ND
别名:SP000013488
SPD30N03S2L20INTR
SPD30N03S2L20XT
SPD30N03S2L20XT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30P06P
仓库库存编号:
SPD30P06PINCT-ND
别名:SPD30P06PINCT
SPD30P06PXTINCT
SPD30P06PXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L-06
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06INCT-ND
别名:SPD50N03S2L06
SPD50N03S2L06INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD5N03LAG
仓库库存编号:
IPD5N03LAGINCT-ND
别名:IPD5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L07T
仓库库存编号:
SPD30N03S2L07T-ND
别名:SP000013749
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L10T
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10T-ND
别名:SP000016254
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N50C3T
仓库库存编号:
SPD04N50C3XTINCT-ND
别名:SPD04N50C3XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N60C3T
仓库库存编号:
SPD07N60C3XTINCT-ND
别名:SPD07N60C3XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N60S5T
仓库库存编号:
SPD07N60S5XTINCT-ND
别名:SPD07N60S5XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LB G
仓库库存编号:
IPD05N03LB G-ND
别名:IPD05N03LBGXT
SP000016410
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD09N03LB G
仓库库存编号:
IPD09N03LB G-ND
别名:IPD09N03LBGXT
SP000016412
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA
仓库库存编号:
IPD10N03LA-ND
别名:IPD10N03LAT
SP000014983
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA G
仓库库存编号:
IPD10N03LA G-ND
别名:IPD10N03LAGXT
SP000017602
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L
仓库库存编号:
IPD20N03L-ND
别名:IPD20N03LT
SP000016259
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L G
仓库库存编号:
IPD20N03L G-ND
别名:IPD20N03LGXT
SP000017603
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD230N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD230N06NGBTMA1TR-ND
别名:IPD230N06N G
IPD230N06N G-ND
IPD230N06NGXT
SP000204196
SP000450200
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH5N03LA G
仓库库存编号:
IPDH5N03LA G-ND
别名:IPDH5N03LAGXT
SP000064379
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MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08P06P
仓库库存编号:
SPD08P06P-ND
别名:SP000077441
SPD08P06PXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2-07
仓库库存编号:
SPD50N03S2-07-ND
别名:SP000016253
SP000077579
SPD50N03S207XT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD03N03LB G
仓库库存编号:
IPD03N03LBGINCT-ND
别名:IPD03N03LBG
IPD03N03LBGINCT
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MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12N03LB G
仓库库存编号:
IPD12N03LBGINCT-ND
别名:IPD12N03LBG
IPD12N03LBGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD144N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD144N06NGBTMA1CT-ND
别名:IPD144N06NG
IPD144N06NGINCT
IPD144N06NGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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